[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括:

在衬底上形成信号传输线以及栅极；所述信号传输线和所述栅极之间设有间隙；

在所述信号传输线以及所述栅极上形成栅极绝缘层以及有源层；

在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层；

图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔；

以图案化的有机绝缘层为掩膜，刻蚀所述栅极绝缘层以露出所述信号传输线；

在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔还包括：形成对应所述有源层的盲孔；

所述方法还包括：

去除预设厚度的有机绝缘层，以使所述盲孔变为通孔以露出所述有源层；

所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：

在所述通孔上形成第二导电层导通所述有源层；

图案化所述第二导电层，形成源极和漏极。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线，以及在所述通孔上形成第二导电层导通所述有源层，还包括：

导通所述第一导电层与所述第二导电层。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，所述第一导电层和/或所述第二导电层为金属材料。

5.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔，以及形成对应所述有源层的盲孔具体为：

在所述有机绝缘层上制备灰度掩模；

以制备的灰度掩模为掩膜对所述有机绝缘层进行蚀刻，形成所述贯孔以及所述盲孔；

剥离所述灰度掩模。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层及所述有源层上形成有机绝缘层包括：

在所述有源层上形成第三导电层；

图案化所述第三导电层，形成源极和漏极；

在所述栅极绝缘层以及所述第三导电层上形成有机绝缘层。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔还包括：形成对应所述源极或所述漏极的盲孔；

所述方法还包括：对图案化后的有机绝缘层整体去除预设厚度，以使所述盲孔变为通孔以露出所述源极或所述漏极；

所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：在所述通孔上形成第四导电层导通所述源极或所述漏极。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述贯孔上形成第一导电层导通所述信号传输线还包括：

导通所述第一导电层与所述第四导电层，所述第一导电层的材料以及所述第四导电层的材料为透明导电材料。

9.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述有机绝缘层，形成对应所述信号传输线的贯孔，以及形成对应所述源极或所述漏极的盲孔具体为：

在所述有机绝缘层上制备灰度掩模；

以制备的灰度掩模为掩膜对所述有机绝缘层进行蚀刻，形成所述贯孔以及所述盲孔；

剥离所述灰度掩模。

10.如权利要求1-9所述的任一一项阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成信号传输线和栅极包括：

在衬底上沉积缓冲层，在所述缓冲层上形成所述信号传输线和所述栅极。