[发明专利]薄膜晶体管制造方法

说明书

薄膜晶体管制造方法，包括：在基板(10)的表面上依次形成栅极(11)、覆盖栅极(11)及基板(10)表面形成栅极绝缘层(12)、位于所述栅极(11)上方形成有源层(13)、正投影于有源层(13)中部的蚀刻阻挡层(14)及在有源层(13)、蚀刻阻挡层(14)及栅极绝缘层(12)上形成包括覆盖所述蚀刻阻挡层(14)的第一区域(151)以及连接所述第一区域(151)相对两侧的第二区域(152)，所述每一第二区域(152)与所述有源层(13)及蚀刻阻挡层(14)连接的金属层(15)；在金属层(15)上形成光阻层(16)并形成被光阻层(16)覆盖的与第一区域(151)连接的第三区域；去除部分光阻层(16)，保留覆盖第三区域的剩余光阻层(16)并以露出部分第一区域(151)；去除露出的第一区域(151)，保留位于蚀刻阻挡层(14)相对两侧的与剩余光阻层(16)连接且高度相同的剩余的第一区域(151)，同时露出蚀刻阻挡层(14)；去除剩余的光阻层(16)。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin-film transistors，TFT)阵列基板被广泛应用于不同类型的显示屏中，如LCD或AMOLED显示屏。随着显示屏尺寸的越来越大，对于TFT而言需要有大的电流以支持较高的分辨率。对于底栅型的薄膜晶体管，蚀刻阻挡层设于有源层上，用于在制程中保护有源层，以保证有源层电学性能的稳定。而受到TFT常规设置的影响，蚀刻阻挡层会增大源漏极与有源层之间形成的沟道的长度，从而影响显示器的分辨率。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管制造方法，用以解决蚀刻阻挡层与源漏极连接增大沟道的长度，产生较大的寄生电容而影响分辨率的技术问题。

本发明所述薄膜晶体管制造方法包括：

在基板的上形成栅极、栅极绝缘层以及有源层；

在所述栅极绝缘层和有源层上形成保护层；

图案化所述保护层以在所述有源层上形成蚀刻阻挡层；

在所述有源层、蚀刻阻挡层及栅极绝缘层上形成金属层；

在所述金属层的第一区域涂覆光敏层；

去除部分所述光敏层显露覆盖所述蚀刻阻挡层上的部分所述金属层；以及去除所述金属层露出部分所述蚀刻阻挡层。

本申请的薄膜晶体管制造方法采用金属层上覆盖光阻层后通过等离子灰化工艺先去除部分蚀刻阻挡层以限定需要去除的金属层来形成源极与漏极，实现通过蚀刻阻挡层与源极、漏极自对准，可以准确定义源漏极位置；而且本申请直接将源极与漏极定义在有源层上，即减小源极与漏极到有源层之间的沟道区域的长度，进而减小寄生电容的产生。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管制造方法步骤图。

图2至图13是图1所示的薄膜晶体管制造方法的各个制造流程的截面示意图。

图14是本发明第二实施例的薄膜晶体管制造方法步骤图。

图15至图20是图14所示的薄膜晶体管制造方法的各个制造流程的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本发明提供了薄膜晶体管用于液晶显示屏或者有机显示屏中。