[发明专利]发光二极管封装和照明设备

说明书

技术领域

实施例涉及一种发光器件封装和照明装置。

背景技术

发光二极管(LED)是一种半导体器件，其使用化合物半导体的特性将电转换成红外线或光以发送或接收信号或被用作光源。

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体作为诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的发光器件的核心材料已经引起注意。

发光二极管呈现优异的环保特性，因为发光二极管不包括环境有毒的材料，诸如在诸如白炽灯和荧光灯的传统的照明器材中使用的汞(Hg)。此外，发光二极管具有寿命长和功耗低的优点。由于这些原因，发光二极管已经取代传统的光源。

在传统的发光器件封装中，供应到有源层中的载流子没有被均匀地注入，从而使电流扩散劣化。因此，要求改善劣化。

发明内容

技术问题

实施例提供一种发光器件封装和照明装置，其具有改善的电流扩展，并且能够被简单且快速地制造。

技术方案

在一个实施例中，发光器件封装可以包括：衬底；发光结构，该发光结构被布置在衬底下面，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；第一结合焊盘，该第一结合焊盘被嵌入到通孔中以被连接到第一导电类型半导体层，该通孔穿过有源层和第二导电类型半导体层以暴露第一导电类型半导体层；第二结合焊盘，该第二结合焊盘与第一结合焊盘分隔开并且被布置在第二导电类型半导体层下面，第二结合焊盘被连接到第二导电类型半导体层；第一绝缘层，该第一绝缘层被布置在通孔中的发光结构的侧部上和发光结构的内下边缘上；以及第二绝缘层，该第二绝缘层被布置在通孔中的第一绝缘层和第一结合焊盘之间。

例如，第一绝缘层可以包括第一段，该第一段被布置在通孔中的发光结构的侧部上；以及第二段，该第二段沿着与发光结构的厚度方向相交的第一方向从第一段延伸并且被布置在发光结构的内下边缘上。第一绝缘层还可以包括至少一个第三段，该第三段被布置成在有源层下面在第一方向中从第一段朝向第二导电类型半导体层的内部延伸。第一绝缘层还可以包括第四段，该第四段分别被布置在发光结构的外侧和外下边缘上。

例如，发光器件封装还可以包括第一电极，该第一电极被布置在通孔中暴露的第一导电类型半导体层和第一结合焊盘之间。第二绝缘层可以被布置成延伸到第一电极和第一绝缘层之间。

例如，发光器件封装还可以包括第二电极，该第二电极被布置在第二导电类型半导体层和第二结合焊盘之间。

例如，第二电极可以包括：反射层，该反射层被布置在第二导电类型半导体层下面；以及透光电极层，该透光电极层被布置在反射层和第二导电类型半导体层之间。第一绝缘层的第二段可以被布置在透光电极层和第二导电类型半导体层的内下边缘之间，并且第四段可以被布置在透光电极层和外下边缘之间。

例如，第二电极可以包括反射层，该反射层被布置在第二导电类型半导体层下面。第一绝缘层的第二段可以被布置在反射层和第二导电类型半导体层的内下边缘处，并且第四段可以被布置在反射层和外下边缘之间。

例如，第二电极可以包括透光电极层，该透光电极层被布置在第二导电类型半导体层下面。第一绝缘层的第二段可以被布置在透光电极层和第二导电类型半导体层的内下边缘之间，并且第四段可以被布置在透光电极层和外下边缘之间。

例如，其中布置第三段的第二导电类型半导体层的内部可以包括第二导电类型半导体层的上部、下部或中部中的至少一个。至少一个第三段可以包括在彼此并排分隔开的情况下在第一方向中从第一段延伸的多个第三段。在第一方向中第二或第四段的长度可以是20μm至30μm。在第一方向中第一结合焊盘和第二结合焊盘的宽度比可以是9:1或8:2。第一或第二绝缘层中的至少一个可以包括光敏聚酰亚胺。

例如，发光器件封装还可以包括第一和第二引线框架，该第一和第二引线框架分别被连接到第一和第二结合焊盘。

在另一个实施例中，照明装置可以包括发光器件封装。

有益效果

根据实施例的发光器件封装和照明装置通过将载流子良好地注入到其中电流扩散敏感的部分中而具有高电流密度和改善的电流扩散，其中可以通过使用光敏聚酰亚胺形成第一绝缘层来解决使用SiO₂作为第一绝缘层招致的缺陷率，其中可以简化制造工艺，从而缩短工艺时间，其中可以更准确地执行电流阻挡层的作用，并且其中，在第二电极包括由银(Ag)组成的反射层的情况下，提供第一绝缘层，从而保护发光结构免受Ag迁移和杂质的影响。

附图说明