[发明专利]配线基板

说明书

本发明涉及配线基板。配线基板(12)是具有绝缘基板(18)、配置在该绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板(12)；绝缘基板(18)的结晶相至少以Al₂O₃或含有Al₂O₃的化合物为主晶相，Al₂O₃的晶体粒径小于1.5μm，表面配线层和内部配线层含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，钨和钼的粒径小于1.0μm，表面配线层及内部配线层的表面粗糙度Ra小于2.5μm。

技术领域

本发明涉及配线基板，涉及适合用于例如内部安装有振子等元件的陶瓷制封装、高频用电路基板等的配线基板。

背景技术

作为现有的配线基板，例如具有使用了氧化铝等陶瓷的绝缘基板的配线基板，已知有例如日本专利第3827447号公报、日本专利第3493310号公报、日本专利第3537698号公报及日本专利第3898400号公报中记载的配线基板。

日本专利第3827447号公报中记载了一种配线基板，其具备：层叠多个由主晶相的平均晶体粒径为1.5～5.0μm的氧化铝质陶瓷构成的绝缘层而成的绝缘基板、配置在绝缘基板内部的内部配线层、以及配置在绝缘基板表面的表面配线层。该配线基板中，铜向内部配线层周围的陶瓷中的扩散距离为20μm以下，且包含绝缘基板的形成有表面配线层的基板表面的表面粗糙度(Ra)为1μm以下的烧结表面。

日本专利第3493310号公报中记载了一种配线基板，其具备：陶瓷制的绝缘基板、以及通过与绝缘基板同时烧成而在该绝缘基板的内部和表面形成的表面配线层和内部配线层。该配线基板中，表面配线层以10～70体积％的比例含有铜、以30～90体积％的比例含有钨和/或钼，在该表面配线层的表面通过镀敷法被覆形成有金属层。内部配线层以20～80体积％的比例含有铜、以20～80体积％的比例含有钨和/或钼。内部配线层和被覆形成有金属层的表面配线层的薄层电阻均为6mΩ/sq.以下。

日本专利第3537698号公报中记载了一种配线基板，其具备：由陶瓷构成的绝缘基板、以及在该绝缘基板的至少表面上的表面配线层，所述陶瓷以铝为主成分且以MnO₂换算计为2.0～10.0重量％的比例含有锰化合物，并且相对密度为95％以上。表面配线层通过与绝缘基板同时烧成而形成，且以10～70体积％的比例含有铜、以30～90体积％的比例含有钨和/或钼，且在包含铜的基质中，作为平均粒径1～10μm的粒子而分散含有钨和/或钼。

日本专利第3898400号公报中记载了一种配线基板，其在由以氧化铝为主成分的陶瓷构成的绝缘基板的至少表面，被覆形成有金属化配线层，该金属化配线层以10～70体积％的比例含有烧成时熔融的Cu(铜)、以30～90体积％的比例含有钨(W)粒子和/或钼(Mo)粒子。就该配线基板而言，金属化配线层中的Cu与钨粒子和/或钼粒子未分离，金属化配线层的表面为表面粗糙度(Ra)2.5～4.5μm的烧结表面。

发明内容

在上述的日本专利第3827447号公报、日本专利第3493310号公报、日本专利第3537698号公报及日本专利第3898400号公报中，记载有希望提高配线层对于绝缘基板的密合性，但并未记载具体为何种程度的密合力，并且因主晶相的粒径大，因而在提高密合力方面存在界限。

本发明是考虑这样的课题而完成的，其目的在于提供能够在低的烧成温度制作，并能够谋求配线层对于绝缘基板的密合性的提高的配线基板。