[发明专利]通过预图案化台面进行的减轻应变的外延剥离

权利要求书

1.一种制造薄膜器件的方法，所述方法包括：

a.将牺牲层沉积在生长衬底上；

b.将外延层沉积在所述牺牲层上；

c.将光刻胶层沉积在所述外延层上；

d.使用光刻法将一个或多个沟槽图案化成穿过所述光刻胶层，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的外延层的区域；

e.将一个或多个沟槽图案化成穿过所述外延层的暴露出的区域，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的生长衬底的区域；

f.除去所述光刻胶层；

g.将金属层沉积在所述外延层上；

h.将所述金属层粘合到金属涂覆的主衬底；以及

i.通过蚀刻所述牺牲层来进行所述外延层的外延剥离。

2.权利要求1的方法，其中步骤e的一个或多个沟槽将所述外延层的含有至少一个器件的至少一个区域与至少一个其他区域分隔开。

3.权利要求1的方法，其中步骤e的一个或多个沟槽将所述外延层分成两个或更多个片段。

4.权利要求1的方法，其中步骤e的一个或多个沟槽将所述外延层分隔成一行或多行。

5.权利要求1的方法，其中步骤e的一个或多个沟槽将所述外延层分成片段的网格。

6.权利要求1的方法，其中步骤e的一个或多个沟槽被配置成减轻所述外延层或受应力的金属层的应力。

7.权利要求1的方法，其中步骤e的图案化被配置成在外延剥离过程后减少以下至少一者：外延层破裂、外延层的部分剥落和器件短路。

8.权利要求1的方法，其中所述外延层具有至少10,000平方微米的面积。

9.权利要求8的方法，其中所述面积在约1,000,000平方微米至约100,000,000平方微米的范围内。

10.权利要求1的方法，其中步骤a的外延层包含Si和III-V半导体中的至少一者。

11.权利要求1的方法，其中步骤h通过冷焊粘合和范德华粘合中的至少一者来进行。

12.权利要求1的方法，其中所述主衬底选自塑料衬底、半导体衬底和金属衬底。

13.权利要求1的方法，其中步骤d和e中的一个或多个沟槽的宽度为250微米或更小。

14.一种制造薄膜器件的方法，所述方法包括：

a.将牺牲层沉积在生长衬底上；

b.将外延层沉积在所述牺牲层上；

c.将光刻胶层沉积在所述外延层上；

d.使用光刻法将一个或多个沟槽图案化成穿过所述光刻胶层，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的外延层的区域；

e.将金属层沉积在所述外延层上；

f.除去所述光刻胶层，使得覆盖所述光刻胶层的所述金属层的任何部分被剥离，暴露出下方的外延层的不同区域；

g.将一个或多个沟槽图案化成穿过所述外延层的暴露出的不同区域，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的牺牲层的区域或下方的生长衬底的区域；

h.将所述金属层粘合到金属涂覆的主衬底；以及

i.通过蚀刻所述牺牲层来进行所述外延层的外延剥离。

15.一种制造薄膜器件的方法，所述方法包括：

a.将牺牲层沉积在生长衬底上；

b.将外延层沉积在所述牺牲层上；

c.将金属层沉积在所述外延层上；

d.将光刻胶层沉积在所述外延层上；

e.使用光刻法将一个或多个沟槽图案化成穿过所述光刻胶层，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的金属层的区域；

f.将一个或多个沟槽图案化成穿过所述金属层的暴露出的区域，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的外延层的区域；

g.将一个或多个沟槽图案化成穿过所述外延层的暴露出的区域，其中所述一个或多个沟槽暴露出下方的牺牲层的区域或下方的生长衬底的区域；

h.除去所述光刻胶层；

i.将所述金属层粘合到金属涂覆的主衬底；以及

j.通过蚀刻所述牺牲层来进行所述外延层的外延剥离。

16.一种薄膜器件，其包含：

外延层，其中所述外延层含有一个或多个沟槽，所述沟槽将可以含有至少一个器件的至少一个区域与至少一个其他区域分隔开；以及

主衬底。