[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，其特征在于，在基板上以层叠的方式形成有下部电极、种子层及磁隧道结，上述种子层至少由双重结构形成，呈能够通过bcc来进行磁结晶化的第一种子层及包含W的bcc结构的第二种子层的层叠结构且由多结晶的导电物质形成，上述第一种子层的厚度小于上述磁隧道结的厚度，上述磁隧道结的磁性层包含CoFeAl及CoFeAlSi中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述下部电极由多结晶导电物质形成。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，上述下部电极呈包含W的第一下部电极和包含TiN的第二下部电极的层叠结构。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其特征在于，还包括形成于上述下部电极与上述种子层之间且由包含Ta的物质形成的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述第一种子层包含MgO。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述第一种子层的厚度为1nm至1.5nm，上述第二种子层的厚度为1nm至1.4nm。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，还包括以层叠的方式形成于上述磁隧道结的覆盖层、合成交换半磁性层及上部电极。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，上述覆盖层由包含Ta及W中的至少一种的物质形成。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于，上述合成交换半磁性层由包含Pt的物质形成。