[发明专利]高耐压肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201680016834.9 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107534062B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;后藤健;东胁正高;绞缬明伯;熊谷义直;村上尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;C23C16/40;C30B29/16;H01L21/329;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐压 肖特基势垒二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高耐压肖特基势垒二极管，其特征在于，具有：
第一层，其包含第一Ga2O3系单晶，有效施主浓度为2×1015cm-3以上且1.0×1017cm-3以下，上述第一Ga2O3系单晶掺杂有作为第一IV族元素的Si并含有浓度为5×1016cm-3以下的Cl；
第二层，其包含第二Ga2O3系单晶，与上述第一层相比有效施主浓度高，层叠于上述第一层，上述第二Ga2O3系单晶含有第二IV族元素；
阳极电极，其形成在上述第一层上；以及
阴极电极，其形成在上述第二层上，
肖特基势垒二极管的理想系数小于1.2。
2.根据权利要求1所述的高耐压肖特基势垒二极管，
上述第一层的上述有效施主浓度为2.0×1015cm-3以上且2.0×1016cm-3以下，上述肖特基势垒二极管的理想系数为
3.根据权利要求1或2所述的高耐压肖特基势垒二极管，
上述第一Ga2O3系单晶为Ga2O3单晶。
4.根据权利要求1或2所述的高耐压肖特基势垒二极管，
上述阴极电极的与上述第二层接触的层包含Ti。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学，未经株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680016834.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
