[发明专利]传感器设备有效
申请号: | 201680016890.2 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN107431077B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | A.沃伊西克;H.哈尔布里特;K.奥恩;T.伯斯克 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郑瑾彤;杜荔南 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 设备 | ||
1.一种传感器设备(501,1001),包括:
- 载体(503),
- 所述载体(503)具有平坦的载体表面(507),
- 在所述载体表面(507)上布置大量光电检测器(505,701),
- 所述光电检测器各自包括光敏传感器区域(509),所述光敏传感器区域(509)远离所述载体表面(507),以及
- 透镜装置(101),布置为与所述传感器区域(509)相对并且包括光轴(105),以用于将电磁辐射光学成像到所述传感器区域(509)上,
- 其中所述大量光电检测器(505,701)包括至少一个光电检测器(505,701),所述至少一个光电检测器(505,701)的传感器区域(509)包括与所述大量光电检测器(505,701)中的如下光电检测器(505,701)的传感器区域(509)的性质(513,515,517,1003,1005)不同的至少一个性质(513,515,517,1003,1005),所述光电检测器(505,701)相对于所述透镜装置(101)的所述光轴(105)布置成在所述载体表面(507)上比所述至少一个光电检测器(505,701)更靠近所述光轴(105),以便减少所述透镜装置(101)的光学像差,
- 其中所述至少一个性质(513,515,517,1003,1005)包括所述传感器区域(509)相对于所述载体表面(507)的高度(513,515,517),使得所述至少一个光电检测器(505,701)包括比布置成在所述载体表面(507)上更靠近所述光轴(105)的光电检测器(505,701)抬高得更多的传感器区域(509),
- 其中所述至少一个光电检测器(505,701)布置在所述载体表面(507)上所布置的间隔物(801,901)上,
- 其中所述间隔物(801,901)在其表面上包括用于电气接触所述至少一个光电检测器(505,701)的金属化层(903),
- 其中所述金属化层(903)形成为从所述间隔物(801,901)的远离所述载体表面(507)的表面(905)延伸到所述间隔物(801,901)的面向所述载体表面(507)的表面(907),所述至少一个光电检测器(505,701)布置在所述间隔物的远离所述载体表面(507)的所述表面上。
2.根据权利要求1所述的传感器设备(501,1001),其中所述至少一个光电检测器(505,701)垂直于所述载体表面(507)的长度(719,805)比布置成在所述载体表面(507)上更靠近所述光轴(105)的光电检测器(505,701)垂直于所述载体表面(507)的长度(719,805)更大。
3.根据权利要求2所述的传感器设备(501,1001),其中所述光电检测器(505,701)形成为包括不同半导体层的半导体组件,使得所述至少一个光电检测器(505,701)的更大长度(719,805)至少部分地借助于相对于布置成在所述载体表面(507)上更靠近所述光轴(105)的光电检测器(505,701)的层厚度而言所述半导体层中的至少一个半导体层的不同层厚度来形成。
4.根据权利要求1所述的传感器设备(501,1001),其中所述间隔物(801,901)包括用于电气接触所述至少一个光电检测器(505,701)的一个或多个通孔。
5.一种激光雷达系统,包括用于发射电磁辐射的激光器(1003)以及根据权利要求1到4中任一项所述的传感器设备(501,1001)。
6.一种车辆(1201),包括根据权利要求5所述的激光雷达系统(1101)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的