[发明专利]与三维存储器器件集成的无源器件

权利要求书

1.一种三维存储器器件，包括：

存储器器件区域，所述存储器器件区域含有多个非易失性存储器器件；

外围器件区域，所述外围器件区域含有有源驱动器电路器件；

第一阶梯表面区域，所述第一阶梯表面区域在所述外围器件区域和所述存储器器件区域之间，所述第一阶梯表面区域含有多个无源驱动器电路器件；

交替层的堆叠体，所述交替层包含位于基板上的电绝缘层和导电层，其中所述第一阶梯表面区域含有所述电绝缘层的第一部分和所述导电层的第一部分，并且所述第一阶梯表面区域位于所述堆叠体的第一侧上；

第二阶梯表面区域，所述第二阶梯表面区域含有位于所述堆叠体的第二侧上的所述电绝缘层的第二部分和所述导电层的第二部分；

多个半导体沟道，所述多个半导体沟道位于所述堆叠体中的所述存储器器件区域中，其中所述多个半导体沟道中的每一个的至少一个端部垂直于所述基板的顶表面延伸；

多个电荷储存元件，每个电荷储存元件定位为与所述多个半导体沟道中的相应的一个半导体沟道相邻；

多个无源器件接触通孔结构，所述多个无源器件接触通孔结构垂直于所述基板的顶表面延伸到所述第一阶梯表面区域中的所述导电层的所述各自的第一部分；

多个控制栅极接触通孔结构，所述多个控制栅极接触通孔结构垂直于所述基板的顶表面延伸到所述第二阶梯表面区域中的所述导电层的各自的第二部分；

其中，所述外围器件区域含有感测放大器；

所述第二阶梯表面区域包括字线阶梯表面区域；

所述导电层的第二部分包括平行于所述基板的顶表面延伸的多个控制栅电极，并且所述多个控制栅电极至少包括位于第一器件级中的第一控制栅电极和位于第二器件级中的第二控制栅电极；并且

所述存储器器件区域和所述多个无源驱动器电路器件由支撑柱沟槽彼此侧向地间隔并彼此电隔离，所述支撑柱沟槽垂直地延伸穿过整个所述交替层的堆叠体，并且沿着与所述第一阶梯表面区域内的阶梯表面和位于所述支撑柱沟槽内的包含第一电介质填充材料的电介质柱结构相同的侧向方向侧向地延伸。

2.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中：

所述多个无源驱动器电路器件包括多个电容器；

所述导电层的第一部分包括多个电容器电极；

所述电绝缘层的第一部分包括位于所述电容器电极之间的电容器电介质；并且

所述导电层中的每一个的各自的第一部分和第二部分位于所述基板上方的相同级处，并且彼此电绝缘。

3.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中所述多个无源驱动器电路器件包括多个电阻器。