[发明专利]不可逆电路元件、高频电路及通信装置

权利要求书

1.一种不可逆电路元件，其特征在于，

在利用永磁体施加直流磁场的铁氧体中，使多个中心导体在彼此绝缘的状态下交叉配置，

所述中心导体各自的一端作为输入输出端口，各自的另一端连接至大地，

所述中心导体分别与电容元件并联连接，

在不可逆电路元件中，

所述永磁体包含第1永磁体和第2永磁体，

所述第1永磁体和所述第2永磁体各自的施加于所述铁氧体的直流磁场彼此为相反方向，且各自的剩余磁通密度的温度特性具有差异。

2.如权利要求1所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述第1永磁体和所述第2永磁体中，直流磁场较大一方的永磁体的剩余磁通密度的温度特性比直流磁场较小的另一方的永磁体的剩余磁通密度的温度特性要大。

3.如权利要求1或2所述的不可逆电路元件，其特征在于，

所述第1永磁体和所述第2永磁体的剩余磁通密度的温度特性具有1000ppm/℃以上的差异。

4.如权利要求1至3的任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

直流磁场较大的所述一方的永磁体是钕类、钐钴类、铝镍钴类的任一种，直流磁场较小的所述另一方的永磁体是铁氧体类。

5.如权利要求1至4的任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

在所述铁氧体的上表面配置有所述第1永磁体，在下表面配置有所述第2永磁体。

6.如权利要求1至4的任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

在所述铁氧体的一个侧面配置有所述第1永磁体，在另一个侧面配置有所述第2永磁体。

7.如权利要求1至4的任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

在所述铁氧体的至少一个侧面配置有所述第1永磁体，在上表面或下表面配置有所述第2永磁体。

8.如权利要求1至7的任一项所述的不可逆电路元件，其特征在于，

以满足下式的方式设定所述铁氧体的内部磁场和饱和磁化，

[数学式1]

γ(μ₀Hin+Ms)≤ω

γ：旋磁比

μo：真空磁导率

Hin：内部磁场

Ms：饱和磁化

ω：角频率。

9.一种高频电路，其特征在于，

包含权利要求1至8的任一项所述的不可逆电路元件和功率放大器。

10.一种通信装置，其特征在于，

包含权利要求1至8的任一项所述的不可逆电路元件和RFIC。