[发明专利]透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜有效
申请号: | 201680017089.X | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN107405880B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 森田亘;原务;西岛健太;武藤豪志 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | B32B15/08 | 分类号: | B32B15/08;B32B7/023;H01B5/14;H01B13/00;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 层叠 层用膜 制造 方法 | ||
1.一种透明导电层叠层用膜,其是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,
具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10-3g/m2·天以下,且相当于100μm该透明树脂层的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为20g/m2·天以下,
所述复合层的包含所述金属层与所述透明树脂层的界面高低差的表面的JIS-B0601-1994所规定的均方根粗糙度Rq为200nm以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明树脂层由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚偏氯乙烯形成。
3.根据权利要求1所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明阻气层由氮氧化硅层、无机氧化物层或无机氮化物层形成。
4.一种透明导电膜,其是在权利要求1~3中任一项所述的透明导电层叠层用膜的复合层上叠层透明导电层而成的。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜,其中,所述透明导电层包含透明导电性氧化物或导电性有机高分子。
6.根据权利要求5所述的透明导电膜,其中,所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物(ITO)或镓锌氧化物(GZO),导电性有机高分子为聚3,4-乙撑二氧噻吩︰聚苯乙烯磺酸盐[PEDOT︰PSS]。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的透明导电膜,其中,所述透明导电膜的透明导电层的表面电阻率为5Ω/□以下。
8.一种电子器件,其是对置的电极中的至少一者由透明导电膜构成的电子器件,其中,该透明导电膜为权利要求4~7中任一项所述的透明导电膜。
9.一种透明导电层叠层用膜的制造方法,所述透明导电层叠层用膜是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,
相当于100μm所述透明树脂层的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为20g/m2·天以下,
所述复合层的包含所述金属层与所述透明树脂层的界面高低差的表面的JIS-B0601-1994所规定的均方根粗糙度Rq为200nm以下,
该制造方法包括下述工序(A)、(B):
(A)在转印用基材上形成所述具有开口部的金属层,再在该开口部形成所述透明树脂层,从而形成复合层的工序;
(B)将该复合层转印到所述透明阻气层上的工序。
10.根据权利要求9所述的透明导电层叠层用膜的制造方法,该制造方法包括:进一步使透明导电层叠层于所述透明导电层叠层用膜的所述复合层上的工序。
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