[发明专利]非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置

说明书

本发明提供非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置，在非易失性半导体存储装置(1)中，能够降低将SRAM数据写入非易失存储器部(16)的程序动作所需电压，因此能够将构成与所述非易失存储器部(16)连接的SRAM(15)的第一存取晶体管(21a)、第二存取晶体管(21b)、第一负载晶体管(22a)、第二负载晶体管(22b)、第一驱动晶体管(23a)、第二驱动晶体管(23b)的各栅极绝缘膜的膜厚形成为4nm以下，相应地能够使SRAM(15)通过低电源电压高速动作，由此，能够将SRAM(15)的SRAM数据写入非易失存储器部(16)，且能够实现在所述SRAM(15)的高速动作。

技术领域

本发明涉及一种非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置。

背景技术

近年来，随着智能手机等电气设备的普及，用于高速处理声音、图像等大容量信号的SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)的重要性在提高(参照如非专利文献1)。通常，SRAM中重要的是高速化、小面积化、低电力化，近年来，正在开发一种新的电路结构。另外，由于SRAM是非易失性存储器，因此要求在停止供应电力之后也要存储写入存储节点的外部数据，还要求将SRAM数据写入即使在停止电力后也能够保持数据的非易失存储器部，并在重新供应电力之后从非易失存储器部重新读取数据到存储节点。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“维基百科静态随机存取存储器”、[在线]、因特网(URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/Static_Random_Access_Memory)

发明内容

发明要解决的课题

但是，一般的非易失存储器部中，数据的写入动作时所需的电压值与不进行数据写入的非写入动作时所需的电压值之间的电压差大。因此，在与这样的现有的非易失存储器部之间进行数据处理的SRAM中，与向非易失存储器部的数据的写入动作、非写入动作所需的电压相应地，施加于SRAM的电压也会变大。因此，对于设置在非易失存储器部的SRAM，构成所述SRAM的晶体管的栅极绝缘膜的膜厚度变厚，相应地存在难以实现在SRAM中的高速动作的问题。

因此，本发明是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现可向非易失性存储器写入数据的SRAM的高速动作的非易失性SRAM存储器单元及非易失性半导体存储装置。

为解决课题的技术手段