[发明专利]用于N/P调谐的鳍式FET器件

说明书

集成逻辑电路中n型与p型鳍式FET强度比可通过使用有源和虚设栅极电极中的切割区来被调谐。在一些示例中，可使用针对虚设栅极电极和有源栅极电极的分开的切割区以允许不同长度的栅极导通有源区，从而得到被恰适调谐的集成逻辑电路。

公开领域

本公开一般涉及场效应晶体管(FET)，尤其但不排他地涉及鳍式FET器件。

背景

随着集成电路的不断缩减以及对集成电路的速度不断提高的要求，晶体管需要具有更高的驱动电流以及更小的尺寸。由此开发了鳍式场效应晶体管(鳍式FET)。鳍式FET晶体管具有增加的沟道宽度。由于晶体管的驱动电流与沟道宽度成比例，因此增加了鳍式FET的驱动电流。为了使鳍式FET的沟道宽度最大化，鳍式FET可包括多个鳍，这些鳍的端部连接到相同的源极和相同的漏极。多鳍鳍式FET的形成可包括：形成彼此平行的多个鳍，在该多个鳍上形成栅极堆叠，以及互连该多个鳍的端部以形成源极区和漏极区。栅极堆叠的形成可包括：在这些鳍上沉积材料层并且图案化经沉积的层以形成栅极堆叠。可在基板上形成彼此相邻的若干个多鳍鳍式FET，该基板可包括各鳍式FET之间的虚设栅极堆叠以辅助某些处理步骤。

然而，由于整数的鳍数目，鳍式FET N/P强度比(N型鳍式FET与P型鳍式FET的比率)难以调谐。另外，设计者通常针对不同电路需要变化的N/P比。在常规的FET中，FET宽度将被用于调谐N/P强度比。通过改变FET部分的宽度，强度比可以被调谐到期望的强度比。

因此，存在对在常规办法上有所改进的系统、装置和方法的需求，包括由此所提供的改进的方法、系统和装置。

作为这些教导的特性的发明性特征、连同进一步的特征和优点从详细描述和附图中被更好地理解。每一附图仅出于解说和描述目的来提供，且并不限定本教导。

概述

以下给出了与本文所公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述仅具有在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念的目的。

本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述有源栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且跨所述有源栅极电极水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一虚设栅极电极的端部与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。

本公开的一些示例涉及用于鳍式FET的系统、装置和方法，该鳍式FET包括：垂直延伸第一距离的有源栅极电极；垂直延伸第二距离的第一虚设栅极电极，所述第一虚设栅极电极与所述有源栅极电极平行；跨所述第一虚设栅极电极水平延伸的第一切割区；与所述第一切割区垂直间隔开并且水平延伸的第二切割区；在所述第一切割区与所述第二切割区之间的有源区；沿所述第一虚设栅极电极在所述第一切割区与所述有源区之间的虚设栅极导通有源区；以及沿所述有源栅极电极在所述有源栅极电极的端部与所述有源区之间的有源栅极导通有源区。