[发明专利]上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造用的上层膜形成用组合物，其涂布于利用感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的抗蚀剂膜上而形成上层膜，

所述上层膜形成用组合物含有树脂X及具有自由基捕获基的化合物A，

所述具有自由基捕获基的化合物A是下述通式(1)～(3)中任一个所表示的化合物，

通式(1)～(3)中，R₁～R₆分别独立地表示烷基、环烷基或芳基，式(1)中，R₁及R₂可键合而形成环，式(3)中，R₄～R₆中的至少两个可键合而形成环，

所述上层膜形成用组合物不含有包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的键或基团的化合物B2。

2.根据权利要求1所述的上层膜形成用组合物，其中，

所述具有自由基捕获基的化合物A的分子量为100至1000。

3.根据权利要求1或2所述的上层膜形成用组合物，其中所述树脂X包含在侧链部分至少具有3个CH₃部分结构的重复单元。

4.一种图案形成方法，其具备：

工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；

工序b，通过在所述抗蚀剂膜上涂布权利要求1～3中任一项所述的上层膜形成用组合物，在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；

工序c，将形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；及

工序d，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影来形成图案。

5.一种图案化的抗蚀剂，其通过权利要求4所述的图案形成方法形成。

6.一种电子器件的制造方法，其包含权利要求4所述的图案形成方法。