[发明专利]使用极化的铁电聚合物无缺陷地直接干法层离CVD石墨烯

权利要求书

1.一种用于从生长基底层离石墨烯层的制品，该制品包含：

在生长基底上的石墨烯层；和

在所述石墨烯层上的极化的铁电聚合物层，所述石墨烯层被粘附于并夹在所述极化的铁电聚合物层与所述生长基底之间，对所述极化的铁电聚合物层进行布置和极化以在所述石墨烯层和所述生长基底之间产生相对于所述石墨烯层与所述极化的铁电聚合物层之间的粘附力而言降低的相对粘附力。

2.如权利要求1所述的制品，其中所述极化的铁电聚合物层包含含氟聚合物。

3.如权利要求2所述的制品，其中所述极化的铁电聚合物层包含聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯的共聚物。

4.如权利要求1所述的制品，其中所述极化的铁电聚合物层包含约1纳米至约1毫米的厚度。

5.如权利要求4所述的制品，其中所述极化的铁电聚合物层包含约100纳米至约2000纳米的厚度。

6.如权利要求1所述的制品，其中所述极化的铁电聚合物层包含约5μC/cm²至约10μC/cm²的剩余极化。

7.一种从生长基底分离复合材料的方法，所述复合材料包括铁电聚合物层和石墨烯层，所述石墨烯层被粘附于并夹在所述铁电聚合物层与所述生长基底之间，该方法包括：

(i)极化所述铁电聚合物以在所述石墨烯层与所述生长基底之间产生相对于所述石墨烯层与所述极化的铁电聚合物层之间的粘附力而言降低的相对粘附力；和

(ii)剥离所述复合材料以将所述石墨烯层从所述生长基底分离。

8.如权利要求7所述的方法，还包括将所述铁电聚合物层施加到所述石墨烯层以形成所述复合材料。

9.如权利要求7所述的方法，还包括通过将所述石墨烯层粘附到所述目标基底以将所述剥离的复合材料转移到目标基底。

10.如权利要求9所述的方法，还包括从所述石墨烯层去除所述铁电聚合物层以留下粘附于所述目标基底的所述石墨烯层。

11.如权利要求7所述的方法，其中在剥离后，所述石墨烯层在所述铁电聚合物层上的连续性是所述石墨烯层在所述生长基底上的初始覆盖率的90％或更高。

12.如权利要求7所述的方法，其中在剥离后，所述石墨烯层在所述铁电聚合物层上的连续性是所述石墨烯层在所述生长基底上的初始覆盖率的95％或更高。

13.如权利要求7所述的方法，其中在剥离后，所述石墨烯层在所述铁电聚合物层上的连续性是所述石墨烯层在所述生长基底上的初始覆盖率的99％或更高。

14.如权利要求7所述的方法，其中所述复合材料还包含粘附于所述铁电聚合物层的二级基底，并且所述铁电聚合物层夹在所述二级基底和所述石墨烯层之间。

15.如权利要求14所述的方法，还包括通过将所述石墨烯层粘附到所述目标基底来将所述剥离的复合材料转移到所述目标基底；和

从所述铁电聚合物层释放所述二级基底，以留下粘附于所述目标基底的铁电聚合物层和所述石墨烯层。

16.如权利要求15所述的方法，还包括从所述石墨烯层去除所述铁电聚合物层，以留下粘附到所述目标基底的石墨烯层。

17.如权利要求7所述的方法，其中所述极化包括向所述聚合物层施加外电场。

18.如权利要求7所述的方法，还可包括用至少约85J/m²的剥离力剥离所述复合材料以将所述复合材料从所述生长基底分离。

19.如权利要求7所述的方法，其中使所述铁电聚合物极化导致约5μC/cm²至10μC/cm²的所述铁电聚合物的剩余极化。