[发明专利]用于制造包括嵌段共聚物的厚的且高周期的有序膜的方法在审
| 申请号： | 201680017307.X | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN107430331A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | X.舍瓦利耶;R.伊努布利;C.纳瓦罗;C.尼科利特 | 申请（专利权）人： | 阿科玛法国公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 共聚物 周期 有序 方法 | ||
1.用于获得具有大于20nm的厚度和大于10nm的周期的有序膜的方法，所述有序膜包括至少一种具有有序-无序转变温度(TODT)和至少一种Tg的嵌段共聚物与至少一种不具有TODT的化合物的混合物，所述化合物在如下之内选择：嵌段共聚物、增塑剂、填料、光或热稳定剂、光引发剂、离子性化合物聚合物或非离子性化合物聚合物，该至少一种具有有序-无序转变温度(TODT)和至少一种Tg的嵌段共聚物与至少一种不具有TODT的化合物的混合物具有低于单独的嵌段共聚物的TODT的TODT，所述方法包括下列步骤：
-将至少一种具有TODT的嵌段共聚物与至少一种不具有TODT的化合物在溶剂中混合，
-将该混合物沉积于表面上，
-在嵌段共聚物的最高Tg与所述混合物的TODT之间的温度下将沉积在所述表面上的混合物固化。
2.根据权利要求1的方法，其中具有TODT的嵌段共聚物为二嵌段共聚物。
3.根据权利要求2的方法，根据所述方法，所述二嵌段共聚物的嵌段之一包括苯乙烯单体且另一嵌段包括甲基丙烯酸类单体。
4.根据权利要求3的方法，根据所述方法，所述二嵌段共聚物的嵌段之一包括苯乙烯且另一嵌段包括甲基丙烯酸甲酯。
5.根据权利要求1的方法，其中不具有TODT的嵌段共聚物为二嵌段共聚物。
6.根据权利要求5的方法，根据所述方法，所述二嵌段共聚物的嵌段之一包括苯乙烯单体且另一嵌段包括甲基丙烯酸类单体。
7.根据权利要求6的方法，根据所述方法，所述二嵌段共聚物的嵌段之一包括苯乙烯且另一嵌段包括甲基丙烯酸甲酯。
8.根据权利要求1的方法，其中所述化合物为不具有TODT的均聚物或共聚物。
9.根据权利要求1的方法，其中所述表面为自由的。
10.根据权利要求1的方法，其中所述表面为经引导的。
11.组合物，其包括至少一种具有TODT的嵌段共聚物和至少一种化合物，该或这些化合物不具有TODT。
12.根据权利要求1至10任一项的方法用于产生光刻掩模或有序膜的用途。
13.根据权利要求12获得的光刻掩模或有序膜。
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