[发明专利]层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜

说明书

本发明提供一种即使将晶片超薄化也可难以产生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。一种层叠体，依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材，其中，临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25～2000MPa，在25℃温度下固定层叠体的第一基材及第二基材中的任一个，对另一基材的端部，从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与另一基材的基材面垂直的方向，提拉另一基材的端部，由此可进行剥离，并且使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。

技术领域

本发明涉及一种层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。尤其涉及一种用于使用载体基材的晶片装置的处理的层叠体、及用于上述层叠体的临时粘接用组合物。

背景技术

集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI)等半导体器件的制造工艺中，在器件晶片上形成多个IC芯片，通过切割单片化。

随着电子设备的进一步的小型化及高性能化的需求，也对搭载于电子设备的IC芯片要求进一步的小型化及高集成化，但是器件晶片的面方向上的集成电路的高集成化已趋于极限。

作为从IC芯片内的集成电路向IC芯片的外部端子的电连接方法，在以往引线接合法被广为人知，但是为了实现IC芯片的小型化，近年来已知有在器件晶片设置贯穿孔，并以作为外部端子的金属插头贯穿在贯穿孔内的方式与集成电路连接的方法(所谓的形成硅贯穿电极(TSV)的方法)。然而，仅以形成硅贯穿电极的方法，无法迎合对上述近年来的IC芯片进一步的高集成化的需求。

鉴于以上，已知有通过将IC芯片内的集成电路多层化来提高器件晶片的每单位面积的集成度的技术。然而，集成电路的多层化中会使IC芯片的厚度增加，因此需要构成IC芯片的部件的薄型化。作为这种部件的薄型化，例如对器件晶片的薄型化进行了研究，这不仅关系到IC芯片的小型化，还能够使硅贯穿电极的制造中的器件晶片的贯穿孔制造工序节省劳力化，因此被认为是很有前途。并且，从上述集成度提高或装置结构的自由度提高的观点考虑，功率器件或图像传感器等半导体装置中也试验有薄型化。

作为器件晶片，具有约700～900μm的厚度的晶片被广为人知，但是近年来以IC芯片的小型化等为目的，试验有将器件晶片的厚度减薄至200μm以下。

然而，厚度200μm以下的器件晶片非常薄，将其作为基材的半导体装置制造用部件也非常薄，因此在对这些部件实施进一步的处理、或者简单地移动这些部件的情况等中，稳定且无损伤地支承部件较难。

为了解决上述问题，已知有通过临时粘接剂暂时固定(临时粘接)薄型化之前的器件晶片和载体基材，在磨削器件晶片的背面来进行薄型化之后，从器件晶片剥离(分离)载体基材的技术。

具体而言，专利文献1中公开有如下基材处理方法，其依次具有如下工序：在支撑体上，经由临时固定材料临时固定基材，由此获得层叠体的工序，其中，所述临时固定材料至少包含含有环烯烃系聚合物、及具有选自二芳基硅结构、二烷基硅结构、氟代烷基结构、氟代烯基结构及碳原子数8以上的烷基结构的至少1种结构、以及选自聚氧化烯结构、具有磷酸基的结构及具有磺基的结构的至少1种结构的化合物的部件；对基材进行加工和/或移动层叠体的工序；以及沿相对于基材面大致垂直的方向，对基材或支撑体施加力，由此从支撑体剥离基材的工序。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-241568号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

专利文献1中所记载的技术中，不破损支撑体(硅晶片)，也能够从载体基材和临时粘接剂剥离。这种技术，对薄膜化的晶片也具有难以破裂而操作容易的优点。然而，若晶片变薄，则存在容易发生翘曲之类的问题。