[发明专利]具有更好声音效果的电声器件

权利要求书

1.一种电声器件(EAB)，包括：

-载波芯片(CH)，其包含具有压电轴(PA)的压电材料；

-具有叉指电极(EF)的AW转换器结构(EAWS)，其被布置在所述载波芯片(CH)上；

其中

-所述叉指电极(EF)被定向为与所述压电轴(PA)成直角；以及-所述压电轴(PA)与基片边沿(SK)不成直角地相交。

2.根据上述权利要求所述的电声器件，其中，所述载波芯片(CH)具有矩形截面。

3.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述压电轴(PA)与所述基片边沿(SK)围绕形成角度α2，该角度处于[80°,…,87°]的区间内。

4.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述压电材料是单晶体。

5.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述压电材料是LiTaO₃(钽酸锂)或者LiNbO₃(铌酸锂)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述转换器结构(EAWS)具有两个汇流排(BB)，其被定向为与所述叉指电极(EF)成直角。

7.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述转换器结构(EAWS)包括DMS结构。

8.根据上述权利要求中任一项所述的电声器件，其中，所述转换器结构(EAWS)包括梯式结构。

9.具有根据上述权利要求中任一项所述的电声器件的高频滤波器。

10.晶片(W)，包括：

-具有所述压电轴(PA)的所述压电材料；

-第一个标记(PF)，其被设计为指示所述晶片(W)的定向；

其中

-所述标记(PF)包括直线延伸的边沿段；以及

-所述压电轴(PA)以角度α3与所述边沿段相交，该角度与直角存在偏差。

11.根据上述权利要求所述的晶片，其中，所述偏差|α3-90|处于[3°,…,10°]的区间内。

12.一种用于制造多个根据权利要求1至9中任一项所述的电声器件(EAB)的工艺，包括下列步骤：

-提供根据上述权利要求所述的晶片(W)；

-在所述晶片(W)上构造所述器件(EAB)的所述转换器结构(EAWS)；

-通过将所述晶片(W)分割为所述芯片(CH)，来分割所述器件(EAB)，其中所述边沿(SK)被定向为与所述晶片(W)的所述标记(PF)相平行或成直角。

13.一种用于制造多个根据权利要求1至9中任一项所述的电声器件的工艺，包括下列步骤：

-提供所述晶片(W)；

-在所述晶片(W)上构造所述器件(EAB)的所述转换器结构(EAWS)；

-通过将所述晶片(W)分割为芯片(CH)，来分割所述器件(EAB)。

14.根据上述权利要求中任一项所述的工艺，其中，所述晶片(W)在分割时被切割开。

15.根据上面两项权利要求中任一项所述的工艺，在该工艺中，所述器件结构(EAB)相对于之后的芯片边沿(SK)的垂直定向偏转角度α1，该角度处于[3°,…,10°]的区间内。