[发明专利]喷墨打印头的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680017886.8 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN107405922B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: L·焦瓦诺拉;S·巴尔迪;A·梅里亚多;P·斯基纳 申请(专利权)人: 锡克拜控股有限公司
主分类号: B41J2/16 分类号: B41J2/16
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 喷墨 打印头 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种喷墨打印头的制造方法,其包括:

-设置硅基板(10),所述硅基板(10)包括主动喷射元件(11);

-设置液压结构层(20),所述液压结构层(20)用于限定液压回路,所述液压回路被构造成能够引导墨的流动;

-设置硅孔板(30),所述硅孔板(30)具有用于所述墨的喷射的多个喷嘴(31);

-将所述硅基板(10)与所述液压结构层(20)和所述硅孔板(30)组装;

其中,设置所述硅孔板(30)包括:

-设置硅晶圆(40),所述硅晶圆(40)具有由位于所述硅晶圆(40)的相反两侧的第一表面(41)和第二表面(42)定界的平坦延伸部;

-在所述第二表面(42)进行薄化步骤,以便从所述第二表面(42)移除具有预设高度(H)的中央部(43),在所述薄化步骤之后,所述硅晶圆(40)由基部(44)和外周部(45)形成,其中所述基部(44)具有平坦延伸部,所述外周部(45)相对于所述基部(44)的平坦延伸部横向地从所述基部(44)延伸;

-在所述硅晶圆(40)的基部(44)中形成多个通孔,各所述通孔均限定用于所述墨的喷射的相对应的喷嘴(31),

其中,所述硅晶圆(40)是绝缘体硅晶圆,其中所述绝缘体硅晶圆包括与所述第一表面(41)相邻的硅器件层(38)、与所述第二表面(42)相邻的硅处理层(37)以及位于所述硅器件层(38)与所述硅处理层(37)之间的绝缘体层(39),

所述绝缘体层(39)包括SiO和/或SiO2并作为用于薄化工艺的停止层,所述中央部(43)的高度(H)等于所述硅处理层(37)的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述器件层(38)的厚度(D1)在10μm到100μm之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一表面(41)和所述第二表面(42)以距离(D)分离,所述喷嘴(31)的纵向长度(L)由所述距离(D)与所述中央部(43)的高度(H)之间的差限定。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,各所述喷嘴(31)均包括顶部(32)和与所述顶部(32)轴向对准的底部(33)。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,各所述喷嘴(31)的所述顶部(32)均具有大致圆筒状形状。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,各所述喷嘴(31)的所述底部(33)均具有截头棱锥状形状。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述硅晶圆(40)中形成多个通孔的步骤包括:

-顶部蚀刻步骤,其中多个圆筒状的腔(50)形成于所述硅晶圆(40)的所述第一表面(41)处,各所述圆筒状的腔(50)的至少一部分限定相对应的喷嘴(31)的所述顶部(32),各圆筒状的腔(50)具有在所述第一表面(41)处的第一纵向端(51)以及与所述第一纵向端(51)相反的第二纵向端(52);

-底部蚀刻步骤,其中底部(33)形成于大致圆筒状的所述腔(50)的至少一部分的第二端(52)处,由此获得所述喷嘴(31)。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述薄化步骤在所述顶部蚀刻步骤之后且在所述底部蚀刻步骤之前执行。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,大致圆筒状的所述腔(50)的纵向长度大致等于所述基部(44)的厚度。

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,大致圆筒状的所述腔(50)的纵向长度小于所述基部(44)的厚度。

11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括形成步骤,其中,长度大致等于所述基部(44)的厚度的一个或多个参照腔(60)形成于所述第一表面(41)处,所述形成步骤在所述薄化步骤之前执行。

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