[发明专利]再生冷却方法和设备有效
申请号: | 201680018733.5 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN107709608B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | R·W·泰勒;A·F·赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 巨石材料公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;F01D25/24;F28F27/02;H01T19/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 贺淑东;武晶晶 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 再生 冷却 方法 设备 | ||
1.一种冷却等离子体室中的内衬的方法,所述方法包括:
使待用于在所述等离子体室中生成等离子体的至少一种再循环气体与所述内衬接触或经过所述内衬,以冷却所述内衬并预热所述至少一种再循环气体以生成被预热的再循环气体,以及
使所述被预热的再循环气体返回到所述等离子体室,以生成所述等离子体。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述内衬为石墨。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一种再循环气体经过存在于所述内衬中的至少一条冷却通道。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述至少一条冷却通道中的一冷却通道被至少一个能够移除的内衬盖或通道盖覆盖。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括移除所述通道盖,以去除所述通道中的碳沉积物。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述碳沉积物由存在于所述至少一种再循环气体中的烃形成。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述至少一条冷却通道中的一冷却通道被形成为螺旋的冷却通道样式。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述至少一条冷却通道中的一冷却通道被形成为直的冷却通道样式。
9.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,包括多于一条的通道。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,包括充气室,用于协助在所述多于一条的通道中产生均匀分布的冷却气体。
11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,包括向所述至少一种再循环气体中添加氧化气体,以减少或消除存在于所述至少一种再循环气体中的烃和/或减少碳沉积物的形成。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述氧化气体为蒸汽和/或二氧化碳。
13.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,包括使氧化气体经过所述至少一条冷却通道中的一冷却通道,以去除该冷却通道中的碳沉积物。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述氧化气体为蒸汽和/或二氧化碳。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述碳沉积物由存在于所述至少一种再循环气体中的烃形成。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述内衬包含多个穿孔,用于为被预热的所述再循环气体提供入口。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述多个穿孔沿着所述等离子体室分布,并且其中所述多个穿孔包括一组至六组共面穿孔。
18.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述等离子体室为筒状,并且其中所述多个穿孔沿着所述等离子体室的弯曲部分分布。
19.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述多个穿孔允许吸气冷却。
20.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述等离子体室包含等离子体炬环,并且其中所述至少一种再循环气体在所述等离子体炬环的内部和/或外部再循环。
21.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,使用AC电源来生成所述等离子体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的