[发明专利]H半桥的控制电子电路

权利要求书

1.一种用于控制H半桥的电子电路，所述H半桥包括相应不同类型的第一（7）和第二（8）MOSFET晶体管，其源极分别连到供电线（2）和连到电气接地（4），并且相应的漏极连到中间点（5），所述中间点（5）用于连到负载（1）的端子（6），

所述电子电路被适配成使所述MOSFET晶体管（7、8）分别从导通状态转换到阻断状态，

所述电子电路的特征在于其包括相应的不同类型的第一（9）和第二（10）双极晶体管，其发射极分别连到第一节点（11）和第二节点（12），集电极分别连到供电线（2）和电气接地（4），并且相应的基极连到第三节点（13），所述第三节点（13）连到所述MOSFET晶体管（7、8）的控制模块（16），所述控制模块按一个称为“高”的状态和一个称为“低”的状态的两状态可配置，

以及在所述MOSFET晶体管（7、8）的栅极之间相对于彼此并联装配的第一（18）和第二（19）分支，所述第一（18）分支包括第一二极管（181）和第一电阻（182），所述第二（19）分支包括第二二极管（191）和第二电阻（192）：

—第一节点（11）同时连到第一（18）分支的第一二极管（181）的阳极和第一电阻（182），第一分支（18）的所述第一电阻（182）此外连到第二MOSFET晶体管（8）的栅极，并且第一（18）分支的所述第一二极管（181）的阴极连到第一MOSFET晶体管（7）的栅极，

—第二节点（12）同时连到第二（19）分支的第二二极管（191）的阴极和第二电阻（192），第二（19）分支的所述第二电阻（192）此外连到第一MOSFET晶体管（7）的栅极，并且第二（19）分支的所述第二二极管（191）的阳极连到第二MOSFET晶体管（8）的栅极。

2.根据权利要求1所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于所述第二（19）分支包括第一辅助控制模块（20），所述第一辅助控制模块包括开关（202）和所述开关（202）的控制装置（201），所述开关（202）被适配成在所述第二（19）分支的第二二极管（191）和第二电阻（192）之间断开和闭合第二（19）分支，并且第一晶体管（7）的栅极通过第三电阻（21）而连到供电线（2）。

3.根据权利要求2所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于第二（19）分支的开关（202）是MOSFET晶体管（202），其漏极连到第二（19）分支的第二电阻（192），栅极连到第二分支（19）的第一辅助控制模块（20）的所述控制装置（201）的输出，并且源极连到第二分支（19）的第二二极管（191）的阴极。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于第一（18）分支包括第二辅助控制模块（22），所述第二辅助控制模块包括开关（222）和所述开关（222）的控制装置（221），所述开关（222）被适配成在所述第一（18）分支的第一二极管（181）和第一电阻（182）之间断开和闭合第一（18）分支，并且第二晶体管（8）的栅极通过第四电阻（23）而连到电气接地（4）。

5.根据权利要求4所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于第一（18）分支的开关（222）是MOSFET晶体管（222），其漏极连到第一（18）分支的第一电阻（182），栅极连到第一（18）分支的第二辅助控制模块（22）的所述控制装置（221）的输出，并且源极连到第一（18）分支的第一二极管（181）的阳极。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于第一双极晶体管（9）的集电极通过第五电阻（14）而连到供电线（2），并且第二双极晶体管（10）的集电极通过第六电阻（15）而连到电气接地（4）。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于所述控制模块（16）包括被适配成生成电压信号的控制装置（161），以及MOSFET晶体管（162），其漏极连到供电线（2），栅极连到所述控制装置（161）的输出，并且源极同时连到所述第三节点（13）和电气接地（4）。

8.根据权利要求7所述的用于控制H半桥的电子电路，其特征在于第七电阻（17）被布置在控制模块（16）的MOSFET晶体管（162）的源极和电气接地（4）之间。