[发明专利]导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极

权利要求书

1.一种导电结构体，包括：

基板；

设置在所述基板上的金属层；以及

设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，

其中，所述减光反射层包含MoTi_aO_xN_y，0<a≤2，0<x≤3，0<y≤2，x+y>0，a、x和y分别指Ti、O和N的原子数的比例，

其中，所述减光反射层的Mo的元素含量为25原子％以上且为40原子％以下，

其中，所述减光反射层的Ti的元素含量为10原子％以上且为25原子％以下，

其中，所述减光反射层的N的元素含量为大于0原子％且为5原子％以下，

其中，所述减光反射层的O和N的元素含量满足下面的式1，并且所述减光反射层的O的元素含量为40原子％以上且为42.5原子％以下：

[式1]

0＜N_原子％/O_原子％＜0.2，

其中，所述基板、所述金属层和所述减光反射层被顺序地设置，在所述减光反射层的与所述金属层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35％以下，

其中，所述金属层包含Cu、Ag、Ar、Cr、Co、Al、Mo、Ti、Fe、V、Ni和它们的合金中的一种或多种金属。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的厚度为10nm以上且为400nm以下。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域中的平均消光系数k为0.1至15。

4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体在可见光区域中的平均折射率为2至3。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述金属层和所述减光反射层分别包括包含多个开口的金属图案层和减光反射图案层。

6.根据权利要求5所述的导电结构体，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的线宽为0.1μm以上且为100μm以下。

7.根据权利要求5所述的导电结构体，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的相邻图案线之间的线间距为0.1μm以上且为100μm以下。

8.根据权利要求5所述的导电结构体，其中，所述减光反射图案层的线宽为所述金属图案层的线宽的80％以上且为120％以下。

9.一种权利要求1至8中的任意一项所述的导电结构体的制造方法，该制造方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成金属层；以及

在所述金属层上形成减光反射层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述减光反射层的形成使用溅射方法，其中，氧气的分压和氮气的分压满足下面的式2：

[式2]

0＜N_{2 sccm}/O_{2 sccm}＜10。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，氧气的分压为3sccm以上且为10sccm以下。

12.根据权利要求9所述的制造方法，还包括：

通过对所述金属层和所述减光反射层进行批量蚀刻形成金属图案层和减光反射图案层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，所述金属图案层和所述减光反射图案层的形成包括将所述金属层和所述减光反射层暴露于蚀刻剂的时间调整为1分钟以上且为4分钟以下。

14.一种电极，该电极包括权利要求1至8中的任意一项所述的导电结构体。

15.一种电子装置，该电子装置包括权利要求1至8中的任意一项所述的导电结构体。