[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具有：第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层和被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，

所述隧道势垒层是阳离子排列不规则的尖晶石结构，

所述隧道势垒层以(M_1-xZn_x)((T1)_2-y(T2)_y)O₄的组成式表示，

M为Zn以外的非磁性的二价阳离子，

T1和T2分别为非磁性的三价阳离子，

x和y是以以下的(1)～(5)的组合的组成比作为顶点并以直线连结顶点而成的区域内的组成比，

(1)x＝0.2，y＝0.1；

(2)x＝0.8，y＝0.1；

(3)x＝0.8，y＝1.7；

(4)x＝0.6，y＝1.7；

(5)x＝0.2，y＝0.7。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层具有：

晶格匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层两者晶格匹配；和

晶格不匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配。

3.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述晶格匹配部的体积相对于所述隧道势垒层整体的体积的比为65～95％。

4.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述组成式中，M、Zn、T1以及T2的阳离子的离子半径之差为以下。

5.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述组成式中，M为镁或镉的阳离子。

6.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述组成式中，T1和T2中一个为铝的阳离子，另一个为镓的阳离子。

7.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述组成式中，T1和T2中一个为镓的阳离子，另一个为铟的阳离子。

8.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述二价阳离子的元素数比所述三价阳离子的元素数的一半少。

9.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任意一者为Co₂Mn_1-aFe_aAl_bSi_1-b，其中，0≤a≤1，0≤b≤1。

10.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的膜厚为1.0nm以上。

11.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层的矫顽力比所述第二铁磁性金属层的矫顽力大。

12.如权利要求1或2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任意一者具有相对于层叠方向为垂直的磁各向异性。

13.如权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述晶格匹配部的体积相对于所述隧道势垒层整体的体积的比为65～95％，

所述二价阳离子的元素数比所述三价阳离子的元素数的一半少。