[发明专利]用于多级别单元模式非易失性存储器的成本优化单级别单元模式非易失性存储器有效
| 申请号： | 201680019125.6 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107466418B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | A.S.拉马林加姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 多级 单元 模式 非易失性存储器 成本 优化 级别 | ||
1.一种将非易失性存储器用于写缓冲的设备，所述设备包含：
非易失性存储器，包括在单级别单元SLC模式的第一区域和在多级别单元模式的第二区域；以及
逻辑，将所述第二区域的部分从所述多级别单元模式移动到所述SLC模式，而没有增加任何新容量到所述非易失性存储器，并且没有从所述非易失性存储器减少任何现有容量。
2.如权利要求1所述的设备，其中，所写到所述第二区域的所述部分的数据要在被定向在所述非易失性存储器的写操作之间的空闲时间期间被移动到所述第一区域。
3.如权利要求1所述的设备，包含将所述第二区域的一个或多个部分从所述多级别单元模式移动到所述SLC模式以创建所述第一区域的逻辑。
4.如权利要求1所述的设备，其中，突发写操作要被定向在所述第一区域。
5.如权利要求1所述的设备，其中，突发写操作要响应被定向在所述第一区域的突发写操作的阈值数量而被定向在所述第二区域。
6.如权利要求1所述的设备，其中，所述多级别单元模式是三级别单元(TLC)模式。
7.如权利要求1所述的设备，其中，所述非易失性存储器、所述逻辑和固态驱动器(SSD)处于同一集成电路装置上。
8.如权利要求1所述的设备，其中，所述非易失性存储器要包含下列之一：纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、闪速存储器、自旋矩转移随机存取存储器(STTRAM)、电阻随机存取存储器、相变存储器(PCM)以及字节可寻址3维交叉点存储器。
9.如权利要求1所述的设备，其中，SSD要包含所述非易失性存储器和所述逻辑。
10.一种将非易失性存储器用于写缓冲的方法，所述方法包含：
将非易失性存储器划分成包括在单级别单元SLC模式的第一区域和在多级别单元模式的第二区域；以及
将所述第二区域的部分从所述多级别单元模式移动到所述SLC模式，而没有增加任何新容量到所述非易失性存储器，并且没有从所述非易失性存储器减少任何现有容量。
11.如权利要求10所述的方法，还包含在定向在所述非易失性存储器的写操作之间的空闲时间期间将被写到所述第二区域的所述部分的数据移动到所述第一区域。
12.如权利要求10所述的方法，还包含将所述第二区域的一个或多个部分从所述多级别单元模式移动到所述SLC模式以创建所述第一区域。
13.如权利要求10所述的方法，还包含将突发写操作定向在所述第一区域。
14.如权利要求10所述的方法，还包含响应被定向在所述第一区域的突发写操作的阈值数量而将突发写操作定向在所述第二区域。
15.如权利要求10所述的方法，其中，所述多级别单元模式是三级别单元(TLC)模式。
16.如权利要求10所述的方法，其中，所述非易失性存储器包含下列之一：纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、闪速存储器、自旋矩转移随机存取存储器(STTRAM)、电阻随机存取存储器、相变存储器(PCM)以及字节可寻址3维交叉点存储器。
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