[发明专利]光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法有效

申请号：	201680019414.6	申请日：	2016-04-07
公开（公告）号：	CN107430344B	公开（公告）日：	2021-03-26
发明（设计）人：	冈田佳奈;牧野嶋高史;越后雅敏;东原豪;大越笃	申请（专利权）人：	三菱瓦斯化学株式会社
主分类号：	G03F7/11	分类号：	G03F7/11
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	光刻下层形成用材组合图案方法
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【权利要求书】：

1.一种光刻用下层膜形成用材料，其含有下述式(0)所示的化合物，

式(0)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R¹是碳数1～30的2n价基团或单键，R⁰各自独立地是碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基，所述烷基、所述烯基和所述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键，m₁各自独立地是0～4的整数，此处，至少一个m₁是1～4的整数，m₂各自独立地是0～3的整数，n是1～4的整数，p各自独立地是0或1，当n＝1时，X表示氧原子或硫原子。

2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(0)所示的化合物是下述式(1)所示的化合物，

式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R¹是碳数1～30的2n价基团或单键，R²各自独立地是碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的直链状、支链状或环状的烯基、巯基或羟基，所述烷基、所述烯基和所述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键，m₁各自独立地是0～4的整数，此处，至少一个m₁是1～4的整数，m₂各自独立地是0～3的整数，n是1～4的整数，p各自独立地是0或1，当n＝1时，X表示氧原子或硫原子。

3.根据权利要求2所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(1)所示的化合物是下述式(2)所示的化合物，

式(2)中，X、R¹、R²、m₂、n、p的定义与所述式(1)中的说明相同。

4.根据权利要求3所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(2)所示的化合物是下述式(3)所示的化合物，

式(3)中，X、R¹、R²、m₂、p的定义与所述式(1)中的说明相同。

5.根据权利要求3所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(2)所示的化合物是下述式(4)所示的化合物，

式(4)中，X、R¹、R²、m₂、p的定义与所述式(1)中的说明相同。

6.根据权利要求4所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(3)所示的化合物是下述式(3-1)所示的化合物，

式(3-1)中，X、R¹、R²、m₂、p的定义与所述式(1)中的说明相同。

7.根据权利要求5所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(4)所示的化合物是下述式(4-1)所示的化合物，

式(4-1)中，X、R¹、R²、m₂、p的定义与所述式(1)中的说明相同。

8.一种光刻用下层膜形成用材料，其含有式(3)所示的化合物，其中，R¹用下述基团(3-0)中的任意一个表示，

式(3-0)中，R^2’各自独立地是碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、羟基或氰氧基，m_2’各自独立地是0～3的整数。