[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201680019663.5 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107431001B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 砂本昌利;上野隆二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;C23C18/16;C23C18/36;C23C18/42;C23C18/52;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件，在表面背面导通型基板的表面侧电极以及背面侧电极上形成有非电解镍磷镀层以及非电解镀金层，所述半导体元件的特征在于，
所述表面侧电极以及所述背面侧电极包括铝或者铝合金，并且
形成于所述表面侧电极上的所述非电解镍磷镀层的厚度相对形成于所述背面侧电极上的所述非电解镍磷镀层的厚度的比例是1.0以上且3.5以下，从而所述半导体元件具有使表面处于内侧的翘曲。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
所述半导体元件在所述半导体元件的背面侧被钎焊到基板。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
形成所述表面侧电极以及所述背面侧电极的所述铝合金含有比铝贵的元素。
4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，
在形成所述表面侧电极的所述铝合金中含有的所述元素比在形成所述背面侧电极的所述铝合金中含有的所述元素贵。
5.一种半导体元件的制造方法，在将表面侧电极以及背面侧电极形成于表面背面导通型基板之后，使用锌酸盐法对所述表面侧电极以及所述背面侧电极这两方同时进行非电解镍磷镀敷以及非电解镀金，所述半导体元件的制造方法的特征在于，
所述表面侧电极以及所述背面侧电极包括铝或者铝合金，并且
将所述表面侧电极的表面积相对于所述背面侧电极的表面积的比例设为0.3以上且0.85以下，从而所述半导体元件具有使表面处于内侧的翘曲。
6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述半导体元件在所述半导体元件的背面侧被钎焊到基板。
7.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
形成所述表面侧电极以及所述背面侧电极的所述铝合金含有比铝贵的元素。
8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在形成所述表面侧电极的所述铝合金中含有的所述元素比在形成所述背面侧电极的所述铝合金中含有的所述元素贵。
9.根据权利要求5～8中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
在与所述背面侧电极对置的位置配置虚设材料来进行非电解镍磷镀敷。
10.根据权利要求5～8中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，
准备形成有所述表面侧电极以及所述背面侧电极的多个所述表面背面导通型基板，使多个所述表面背面导通型基板的所述背面侧电极彼此对置地进行非电解镍磷镀敷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
