[发明专利]用于至少一个对象的光学检测的检测器

权利要求书

1.一种用于至少一个对象(112)的光学检测的检测器(110)，包括：

至少一个纵向光学传感器(114)，其中所述纵向光学传感器(114)具有至少一个传感器区域(130)，其中所述纵向光学传感器(114)被设计成以取决于由光束(132)对所述传感器区域(130)的照射的方式生成至少一个纵向传感器信号，其中给定所述照射的相同总功率，所述纵向传感器信号取决于所述传感器区域(130)中所述光束(132)的束横截面(174)，其中所述传感器区域(130)包括能够维持电流的至少一种材料，其中给定所述照射的相同总功率，所述材料的至少一个特性取决于所述传感器区域(130)中所述光束(132)的所述束横截面，其中所述纵向传感器信号取决于所述至少一个特性；以及

至少一个评估装置(140)，其中所述评估装置(140)被设计成通过评估所述纵向光学传感器(114)的所述纵向传感器信号来生成关于所述对象(112)的纵向位置的至少一个信息项，

其中所述能够维持电流的至少一种材料是至少一种光导材料(134)，其中给定所述照射的相同总功率，所述光导材料(134)的电导率取决于所述传感器区域(130)中所述光束(132)的所述束横截面(174)，其中所述纵向传感器信号取决于所述电导率。

2.根据权利要求1所述的检测器(110)，其中所述光导材料(134)是无机光导材料。

3.根据权利要求2所述的检测器(110)，其中所述无机光导材料选自硒、碲、硒-碲合金、金属氧化物、IV族元素或化合物、III-V族化合物、II-VI化合物、磷属元素化物、硫属元素化物(136)及其固溶体和/或掺杂变体的无机光导材料。

4.根据权利要求3所述的检测器(110)，其中所述硫属元素化物(136)选自由如下组成的组：硫化物硫属元素化物、硒化物硫属元素化物、碲化物硫属元素化物、三元硫属元素化物、四元硫属元素化物、更多元的硫属元素化物，及其固溶体和/或掺杂变体。

5.根据权利要求4所述的检测器(110)，其中所述硫属元素化物(136)选自由如下组成的组：硫化铅(PbS)、硫化铜铟(CIS)、硒化铜铟镓(CIGS)、硫化铜锌锡(CZTS)、硒化铅(PbSe)、硒化铜锌锡(CZTSe)、碲化镉(CdTe)、碲化汞镉(HgCdTe)、碲化汞锌(HgZnTe)、硫硒化铅(PbSSe)、铜锌锡硫硒硫属元素化物(CZTSSe)，及其固溶体和/或掺杂变体。

6.根据权利要求3所述的检测器(110)，其中所述磷属元素化物选自由如下组成的组：氮化物磷属元素化物、磷化物磷属元素化物、砷化物磷属元素化物、锑化物磷属元素化物、三元磷属元素化物、四元和更多元的磷属元素化物。

7.根据权利要求6所述的检测器(110)，其中所述磷属元素化物选自由如下组成的组：氮化铟(InN)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、磷化铟镓(InGaP)、砷化铟(InAs)、砷化镓(GaAs)、砷化铟镓(InGaAs)、锑化铟(InSb)、锑化镓(GaSb)、锑化铟镓(InGaSb)、磷化铟镓(InGaP)、砷磷化镓(GaAsP)和磷化铝镓(AlGaP)。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的检测器(110)，其中所述光导材料(134)包括掺杂硅，其中所述掺杂硅表现出10¹³cm^-3或更小的掺杂剂浓度，5·10²Ω·cm或更大的电阻率，以及500μm或以下的厚度。

9.根据权利要求8所述的检测器(110)，其中，所述掺杂硅作为浮区晶片。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的检测器(110)，其中所述光导材料(134)被提供为胶体膜(262)，其中所述胶体膜(262)包括量子点(264)。