[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

金属部件(15)；

第1半导体芯片(13)，被配置在上述金属部件的一面(15a)上，在与上述金属部件的对置面上具有第1金属层(13a)；

第2半导体芯片(14)，使用杨氏模量比上述第1半导体芯片大的材料形成，并且，在上述一面上被配置在与上述第1半导体芯片不同的位置，在与上述金属部件对置的对置面上具有第2金属层(14a)；

第1焊料(24)，夹设在上述金属部件与上述第1半导体芯片的上述第1金属层之间，将上述金属部件与上述第1金属层连接；以及

第2焊料(25)，夹设在上述金属部件与上述第2半导体芯片的上述第2金属层之间，将上述金属部件与上述第2金属层连接，

上述第1半导体芯片的发热量比上述第2半导体芯片的发热量大，其中，

上述第2焊料中的与上述第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚，

上述第2金属层的平面形状呈多边形状，

在上述第2金属层的角部，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述第2金属层的整体中，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在上述第2金属层的外周端的整周，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属部件具有与上述第2金属层对应地在上述一面形成的凹部(15c)，

由于上述凹部，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

上述第2焊料的至少一部分被收纳在上述凹部内。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述金属部件具有以在从与上述一面正交的方向进行投影观察时将上述第1金属层包覆于内的方式形成于上述一面的第1凸部(15d)，

通过上述第1凸部，在上述第2金属层的整体中，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

上述第1焊料设置在上述第1凸部上。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

上述金属部件具有：以在从与上述一面正交的方向进行投影观察时将上述第1金属层包覆于内的方式，形成于上述一面的第1凸部(15d)；以及平面形状与上述第2金属层呈相似形状，并且以在从与上述一面正交的方向进行投影观察时被上述第2金属层包覆于内的方式形成于上述一面的第2凸部(15e)，

由于上述第1凸部以及第2凸部，在上述第2金属层的外周端的整周，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

上述第1焊料设置在上述第1凸部上，

上述第2焊料中的与上述第2金属层的外周端的整周对应的部分设置在上述金属部件上，

上述第2焊料中的除了与上述第2金属层的外周端的整周对应的部分以外的部分设置在上述第2凸部上。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述金属部件具有：以在从与上述一面正交的方向进行投影观察时将上述第1金属层包覆于内的方式，形成于上述一面的第1凸部(15d)；以及在从与上述一面正交的方向进行投影观察时与除了上述角部以外的上述第2金属层的部分重叠的方式，形成于上述一面的第3凸部(15f)，

由于上述第1凸部以及第3凸部，在上述第2金属层的角部，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。