[发明专利]阻气性层合体、电子器件用部件及电子器件在审
申请号: | 201680019724.8 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN107405867A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 大桥健宽;岩屋涉;铃木悠太 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | B32B7/02 | 分类号: | B32B7/02;B32B27/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 童春媛,黄念 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气性 合体 电子器件 部件 | ||
1.阻气性层合体,其特征在于,
具有基材和阻气性单元,
所述阻气性单元包含:在所述基材一侧配置而成的阻气层(1),和在所述阻气层(1)的与基材一侧相反的面一侧配置而成的阻气层(2),且
所述阻气性单元的厚度为170nm~10μm。
2.权利要求1所述的阻气性层合体,其特征在于,所述阻气层(1)的折射率为1.40~1.50,所述阻气层(2)的折射率为1.50~1.75,[阻气层(1)的光学膜厚]/[阻气层(2)的光学膜厚]为3.0以上。
3.权利要求2所述的阻气性层合体,其中,所述阻气层(2)的膜密度为2.5~4.5g/cm3。
4.权利要求1所述的阻气性层合体,其中,所述阻气层(1)和所述阻气层(2)使用含有聚硅氮烷系化合物的材料形成。
5.权利要求4所述的阻气性层合体,其中,所述阻气层(2)为通过对在基材上直接设置或隔着其它的层设置的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而改性的部分。
6.电子器件用部件,其包含权利要求1~5中任一项所述的阻气性层合体。
7.电子器件,其具备权利要求6所述的电子器件用部件。
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