[发明专利]阻气性层合体、电子器件用部件及电子器件在审
| 申请号： | 201680019724.8 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107405867A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 大桥健宽;岩屋涉;铃木悠太 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B7/02 | 分类号： | B32B7/02;B32B27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 童春媛,黄念 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气性 合体 电子器件 部件 | ||
【权利要求书】：
1.阻气性层合体，其特征在于，
具有基材和阻气性单元，
所述阻气性单元包含：在所述基材一侧配置而成的阻气层(1)，和在所述阻气层(1)的与基材一侧相反的面一侧配置而成的阻气层(2)，且
所述阻气性单元的厚度为170nm~10μm。
2.权利要求1所述的阻气性层合体，其特征在于，所述阻气层(1)的折射率为1.40~1.50，所述阻气层(2)的折射率为1.50~1.75，[阻气层(1)的光学膜厚]/[阻气层(2)的光学膜厚]为3.0以上。
3.权利要求2所述的阻气性层合体，其中，所述阻气层(2)的膜密度为2.5~4.5g/cm3。
4.权利要求1所述的阻气性层合体，其中，所述阻气层(1)和所述阻气层(2)使用含有聚硅氮烷系化合物的材料形成。
5.权利要求4所述的阻气性层合体，其中，所述阻气层(2)为通过对在基材上直接设置或隔着其它的层设置的含有聚硅氮烷系化合物的层的表面实施改性处理而改性的部分。
6.电子器件用部件，其包含权利要求1~5中任一项所述的阻气性层合体。
7.电子器件，其具备权利要求6所述的电子器件用部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680019724.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：透明叠层膜
- 下一篇：底盘组件，其生产方法和应用
