[发明专利]具有切割栅极应力源的FinFET

权利要求书

1.一种FinFET器件，包括：

由半导体形成的鳍，其被配置成在鳍方向上延伸并包括沟道区；

横贯所述鳍方向延伸的栅极应力源部件，其由金属制成且具有栅极面，其中所述栅极面被配置成在所述沟道区中骑跨并啮合所述鳍；以及

至少两个横向应力源部件，每一横向应力源部件由金属制成且每一横向应力源部件被配置成在所述沟道区外部的相应至少两个区域处骑跨并啮合所述鳍，

其中所述栅极应力源部件被配置成具有部分切口，其中所述部分切口被配置成形成与所述鳍相邻且与所述鳍隔开切割距离的部分切割边缘，其中所述栅极应力源部件被进一步配置成在所述鳍中贯穿所述栅极面促生具有一定量级的横向应力，

其中所述至少两个横向应力源部件被配置成在所述沟道区外部的所述至少两个相应区域处在所述鳍中促生至少两个附加横向应力，以及

其中所述量级至少部分地基于所述切割距离，并且其中所述量级和所述鳍中的所述至少两个附加横向应力的组合在所述沟道区中引发纵向压应变。

2.如权利要求1所述的FinFET器件，其特征在于，所述鳍来自一组鳍，其中所述一组鳍彼此平行且相邻，并且所述一组鳍中的每一鳍包括鳍沟道区，

其中对于所述一组鳍中的每一鳍，所述栅极应力源部件被配置成具有鳍栅极面，其中所述鳍栅极面被配置成骑跨并啮合所述鳍沟道区并在所述鳍沟道区中促生鳍沟道区横向应力，所述鳍沟道区横向应力具有鳍沟道区横向应力量级，

其中所述至少两个横向应力源部件各自被配置成在所述鳍沟道区外部的相应至少两个区域处骑跨并啮合所述一组鳍中的每一鳍并且在所述鳍沟道区外部的所述相应区域处在所述鳍中促生附加横向应力，

其中所述栅极应力源部件被进一步配置成具有多个部分切口，其中对于所述一组鳍中的每一鳍，所述多个部分切口被配置成形成与所述鳍相邻并间隔开相应距离的部分切割边缘，其中对于所述一组鳍中的每一鳍，所述鳍沟道区横向应力量级至少部分地基于所述相应距离，以及

其中对于所述一组鳍中的每一鳍，所述相应距离被设置成使得所述鳍沟道区横向应力量级和所述附加横向应力的组合在所述鳍沟道区中引发纵向压应变。

3.如权利要求1所述的FinFET器件，其特征在于，所述部分切口是第一部分切口，其中所述鳍是第一鳍，其中与所述鳍相邻的所述部分切割边缘是第一部分切割边缘，并且其中所述FinFET器件进一步包括：

由半导体形成的第二鳍，包括第二鳍沟道区且被配置成与所述鳍方向平行延伸并与所述第一鳍相邻，

其中所述栅极应力源部件被进一步配置成具有第二部分切口，其中所述第二部分切口处于所述第一鳍和所述第二鳍之间且被配置成形成与所述第一鳍相邻且与所述第一鳍间隔开第一鳍第二切割距离的第二部分切口第一边缘，并且其中所述量级进一步至少部分地基于所述第一鳍第二切割距离。

4.如权利要求1所述的FinFET器件，其特征在于，所述鳍包括沿所述鳍方向间隔开的鳍第一远端区和鳍第二远端区，其中所述沟道区处于所述鳍第一远端区和所述鳍第二远端区之间，并且其中所述至少两个横向应力源部件包括：

由金属形成的第一横向应力源部件，其与所述栅极应力源部件平行地延伸并且形成第一远端啮合面，其中所述第一远端啮合面被配置成在所述鳍第一远端区中骑跨并啮合所述鳍，以及

由金属形成的第二横向应力源部件，其与所述栅极应力源部件平行地延伸并且被配置成形成第二远端啮合面，其中所述第二远端啮合面被配置成在所述鳍第二远端区中骑跨并啮合所述鳍。

5.如权利要求4所述的FinFET器件，其特征在于，所述量级是鳍沟道区横向应力量级，

其中所述第一横向应力源部件被配置成在所述鳍第一远端区中贯穿所述第一远端啮合面促生第一远端横向应力，其中所述第一远端横向应力具有第一远端横向应力量级，

其中所述第二横向应力源部件被配置成在所述鳍第二远端区中贯穿所述第二远端啮合面促生第二远端横向应力，其中所述第二远端横向应力具有第二远端横向应力量级，

其中所述切割距离、所述第一横向应力源部件以及所述第二横向应力源部件分别被配置成确立所述沟道区横向应力量级、所述第一远端横向应力量级以及所述第二远端横向应力量级之间的关系，所述关系至少部分地在所述沟道区中引发纵向压应变。