[发明专利]光学裸片到数据库检验有效
申请号: | 201680020114.X | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN107454980B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | K·韦尔斯;李晓春;高理升;罗涛;M·胡贝尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 裸片到 数据库 检验 | ||
1.一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统,其包括:
光学检验子系统,其包括至少光源和检测器,其中所述光源经配置以产生引导到晶片的光,且其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所检测光而产生图像;以及
一或多个计算机子系统,其经配置用于:
基于用于印刷在所述晶片上的设计的信息产生呈现图像,其中所述呈现图像是由所述光学检验子系统针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的图像的模拟;
比较所述呈现图像与由所述光学检验子系统产生的所述晶片的光学图像,其中使用光罩将所述设计印刷在所述晶片上;以及
基于所述比较的结果检测所述晶片上的缺陷,
其中所述产生包括:
将用于所述设计的所述信息中的多边形转换成灰阶图像;
通过将偏置校正和边角修圆应用到所述灰阶图像而产生经修改灰阶图像;以及
基于所述经修改灰阶图像和用于印刷在所述晶片上的所述设计的所述信息估计所述晶片的近场。
2.根据权利要求1所述的系统,其中以子像素精确度执行所述转换所述多边形。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述产生进一步包括产生初始呈现图像,其是由所述光学检验子系统基于所述近场和所述光学检验子系统的光学模型而针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的所述图像的另一模拟。
4.根据权利要求3所述的系统,其中所述产生进一步包括通过修改所述初始呈现图像以最小化所述初始呈现图像与由所述光学检验子系统产生的所述光学图像之间的差异而从所述初始呈现图像产生所述呈现图像。
5.根据权利要求1所述的系统,其中仅针对印刷在所述晶片上的所述设计中的一或多个区域执行产生所述呈现图像使得未针对所述设计的整体执行产生所述呈现图像。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统包括两个或多于两个计算机子系统,且其中所述两个或多于两个计算机子系统中的至少一个并非包含所述光学检验子系统的工具的部分。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统包括至少一个虚拟检验系统。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统经进一步配置用于基于所述所检测缺陷确定所述光罩是否通过合格性鉴定。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统经进一步配置用于基于所述所检测缺陷确定对所述晶片执行的一或多个工艺步骤的执行。
10.根据权利要求9所述的系统,其中所述晶片是短环晶片。
11.一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统,其包括:
光学检验子系统,其包括至少光源和检测器,其中所述光源经配置以产生引导到晶片的光,且其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所检测光而产生图像;以及
一或多个计算机子系统,其经配置用于:
基于用于印刷在所述晶片上的设计的信息产生呈现图像,其中所述呈现图像是由所述光学检验子系统针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的图像的模拟;
比较所述呈现图像与由所述光学检验子系统产生的所述晶片的光学图像,其中使用光罩将所述设计印刷在所述晶片上;以及
基于所述比较的结果检测所述晶片上的缺陷,
其中所述产生包括基于用于印刷在所述晶片上的所述设计的所述信息计算所述晶片的近场,且其中用于印刷在所述晶片上的所述设计的所述信息包括几何形状和材料特性。
12.根据权利要求11所述的系统,其中所述产生进一步包括产生初始呈现图像,其是由所述光学检验子系统基于所述近场和所述光学检验子系统的光学模型而针对印刷在所述晶片上的所述设计产生的所述图像的另一模拟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680020114.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造