[发明专利]包含氧化膦基质和金属盐的半导体材料

权利要求书

1.一种半导体材料，其包含：

i)式(I)的化合物：

其中

R¹、R²和R³独立地选自C₁-C₃₀烷基、C₃-C₃₀环烷基、C₂-C₃₀杂烷基、C₆-C₃₀芳基、C₂-C₃₀杂芳基、C₁-C₃₀烷氧基、C₃-C₃₀环烷氧基、C₆-C₃₀芳氧基，以及选自具有通式E-A-的结构单元，

其中

-A为C₆-C₃₀亚苯基间隔单元，并且

-E为电子传输单元，其选自C₁₀-C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆-C₆₀杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且

-至少一个选自R¹、R²和R³的基团具有通式E-A-；和

ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：

其中

-M⁺为携带单一基本电荷的正金属离子，并且

-A¹、A²、A³和A⁴各自独立地选自H、取代或未取代的C₆-C₂₀芳基和取代或未取代的C₂-C₂₀杂芳基，其中所述取代或未取代的C₂-C₂₀杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。

2.根据权利要求1所述的半导体材料，其包含：

i)式(I)的化合物：

其中

R¹、R²和R³独立地选自C₆-C₃₀芳基或C₂-C₃₀杂芳基；以及选自具有通式E-A-的结构单元，

其中

-A为C₆-C₃₀亚苯基间隔单元，并且

-E为电子传输单元，其选自C₁₀-C₆₀芳基；

其中

-在化合物(I)中，取代基R¹、R²和/或R³中的至少一个为苯基，

-至少一个选自R¹、R²和R³的基团具有通式E-A-；和

ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：

其中

-M⁺为锂阳离子(Li⁺)，并且

-A¹、A²、A³和A⁴各自为含至少5个成环原子的杂芳基环，其包含至少一个杂原子N。

3.根据权利要求2所述的半导体材料，其中所述C₂-C₃₀杂芳基不含N。

4.根据权利要求2所述的半导体材料，其中A为联苯基。

5.根据权利要求1或2所述的半导体材料，其中在所述化合物(I)中，A为C₆-C₃₀亚苯基间隔单元、或C₆-C₃₀间亚苯基间隔单元或C₆-C₃₀对亚苯基间隔单元。