[发明专利]具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器

说明书

公开了一种具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器。在一些实施例中，诸如功率放大器(PA)这样的射频(RF)放大器可以被配置为接收和放大RF信号。PA可以包括并联地电连接在输入节点与输出节点之间的共射共基器件的阵列。每个共射共基器件可以包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管。阵列可以被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2015年2月15日提交的标题为“POWER AMPLIFIER HAVINGSTAGGERED CASCODE LAYOUT FOR ENHANCED THERMAL RUGGEDNESS”的第62/116,509号美国临时申请以及于2015年2月15日提交的标题为“CASCODE AMPLIFIER SEGMENTATION FORENHANCED THERMAL RUGGEDNESS”的第62/116,508号美国临时申请的优先权，特此通过引用将其每个的公开内容明确地全部并入本文。

技术领域

本申请涉及用于射频(RF)应用的功率放大器。

背景技术

在许多射频(RF)应用中，待发射的RF信号通常由功率放大器放大。这样的功率放大器可以生成热量和/或受热量的影响。

发明内容

根据多种实现方式，本申请涉及一种射频(RF)放大器，其包括：输入节点和输出节点，分别被配置为接收RF信号和提供经放大的RF信号。该RF放大器还包括：共射共基(cascode)器件的阵列，其实现在输入节点与输出节点之间以生成经放大的RF信号。每个共射共基器件包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管。阵列被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错(staggered)取向来定位。

在一些实施例中，在与非交错取向相比较时，共基极晶体管的交错取向能够提供最近对间距(pair spacing)的增加。共基极晶体管可以被配置为比共发射极晶体管处理更多的功率。在与非交错取向相比较时，增加的间距能够导致更小的由RF放大器的操作引起的温度升高。交错取向所导致的温度升高能够小于非交错取向所导致的温度升高的一半。

在一些实施例中，各个共射共基器件可以并联地电连接，使得输入节点和输出节点中的每个是这些共射共基器件的相应的公共节点。

在一些实施例中，共射共基器件的阵列可以包括在第一行中以交错取向布置的多个共射共基器件。第一行中的多个共射共基器件可以并联地电连接。第一行中的多个共射共基器件可以耦接到公共输入和公共输出。

在一些实施例中，共射共基器件的阵列还可以包括在第二行中以交错取向布置的多个共射共基器件。第一行中的共射共基器件的交错布置与第二行中的共射共基器件的交错布置可以是错位的(offset)，以避免共基极晶体管的直接行到行相邻的对。每行中的多个共射共基器件耦接到公共输入和公共输出。

在一些实施例中，每个共射共基器件可以被配置为使得共发射极晶体管的基极耦接到输入节点，共发射极晶体管的集电极耦接到共基极晶体管的发射极，并且共基极晶体管的集电极耦接到输出节点。共基极晶体管的基极可以通过旁路电容耦接到共发射极晶体管的发射极。

在一些实施例中，该RF放大器可以是功率放大器(PA)。在一些实施例中，PA可以被配置为用高电压电源操作。

在一些教导中，本申请涉及一种半导体晶片，其包括基板以及实现在基板上并且被配置为接收和放大射频(RF)信号的功率放大器(PA)。PA包括实现在输入节点与输出节点之间的共射共基器件的阵列。每个共射共基器件包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管。阵列被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位。