[发明专利]用于腔室清洁终点的原位蚀刻速率确定

权利要求书

1.一种终点检测的方法，包含以下步骤：

在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺；

在所述第一等离子体清洁工艺期间，以两个或更多时间间隔确定第一蚀刻速率；

确定通过所述两个或更多时间间隔所限定的第一斜率，其中所述第一斜率有关于时间限定所述第一蚀刻速率；

在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺；

在所述第二等离子体清洁工艺期间，以两个或更多时间间隔确定第二蚀刻速率；

确定由所述两个或更多时间间隔所限定的第二斜率，其中所述第二斜率有关于时间限定所述第二蚀刻速率；及

比较所述第一斜率与所述第二斜率，以确定清洁终点时间。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁腔室环境不具有材料沉积物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体清洁工艺及所述第二等离子体清洁工艺利用基于氟的化学物、基于氯的化学物、基于氧的化学物、或这些化学物的结合及混和。

4.如权利要求1所述的方法，其中针对所述第一等离子体清洁工艺的所述两个或更多时间间隔以及针对所述第二等离子体清洁处理的所述两个或更多时间间隔为相同的。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述两个或更多时间间隔限定终点时间范围。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述终点时间范围是通过比较所述第一斜率与所述第二斜率而确定的。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

在确定所述清洁终点时间后，对所述清洁终点时间添加小于5％的总清洁时间的清洁时间量。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一等离子体清洁工艺限定基准参考。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述基准参考是热不稳定的。

10.一种终点检测的方法，包含以下步骤：

在清洁腔室环境中执行第一等离子体清洁工艺；

在所述第一等离子体清洁工艺期间，以两个或更多时间间隔确定第一蚀刻速率；

确定由所述两个或更多时间间隔所限定的第一斜率，其中所述第一斜率有关于时间限定所述第一蚀刻速率；

在非清洁腔室环境中执行第二等离子体清洁工艺；

在所述第二等离子体清洁工艺期间，以两个或更多时间间隔确定第二蚀刻速率；

确定由所述两个或更多时间间隔所限定的第二斜率，其中所述第二斜率有关于时间限定所述第二蚀刻速率；

确定由所述两个或更多时间间隔所限定的终点时间范围；及

在所述终点时间范围内比较所述第一斜率及所述第二斜率，以于所述第一斜率与所述第二斜率基本上相等的一点处确定清洁终点时间。

11.如权利要求10所述的方法，其中针对所述第一等离子体清洁工艺的所述两个或更多时间间隔及针对所述第二等离子体清洁工艺的所述两个或更多时间间隔为相同的。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述第一等离子体清洁工艺限定基准参考。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述基准参考是热不稳定的。