[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201680021625.3 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN107438895B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 郑愚德;诸成泰;崔圭鎭;韩星珉 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处仁区阳*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
管件,具有内空间;
基板支撑件,多个基板在所述管件内以多级形式堆叠于所述基板支撑件上,所述基板支撑件个别地界定分别处理所述多个基板的多个处理空间;
第一气体供应部件,经组态以将第一气体供应至所有所述多个处理空间中;
第二气体供应部件,包括多个喷射器,所述多个喷射器经安置为分别对应于所述多个处理空间,使得将第二气体个别地供应至所述多个基板中的每一者上;以及
排出部件,经组态以排出所述管件内的气体,
其中所述第二气体供应部件包括:
所述多个喷射器,安置于不同的高度以分别对应于所述多个处理空间;
多个气体供应管线,分别连接至所述多个喷射器的一个端部;以及
所述多个气体供应管线包括掺杂气体供应源、蚀刻气体供应源、运载气体供应源以及多个流量控制阀门,每个流量控制阀门经组态以控制从每个供应源供应的气体的流量,以便根据在每个处理空间中执行的处理选择将用作所述第二气体的气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一气体供应部件包括:
喷射单元,在所述多个基板堆叠的方向上延伸;以及
气体供应单元,连接至所述喷射单元以将所述第一气体供应至所述喷射单元中,
其中经界定为在所述多个基板堆叠的所述方向上对应于所述多个处理空间的多个喷射孔界定于所述喷射单元中。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述多个喷射孔具有在远离于所述喷射单元与所述气体供应单元彼此连接处的部分的方向上逐渐地增加的直径。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中喷射所述第二气体所通过的喷射孔界定于所述多个喷射器的其他端部中,且
所述喷射孔沿着所述管件的圆周以螺旋方式界定。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述多个气体供应管线中的每一者包括:
气体管件,经组态以界定所述第二气体移动通过的路径,所述气体管件连接至所述多个喷射器中的每一者;
流量传感器,安装于所述气体管件中以量测所述气体管件内的所述第二气体的流动速率;以及
阀门,安装于所述气体管件中以控制所述气体管件内的所述第二气体的所述流动速率,
其中个别地控制所述多个气体供应管线以个别地量测所述第二气体的所述流动速率。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中界定于所述第一气体供应部件中的喷射孔以及界定于所述第二气体供应部件中以对应于所述喷射孔的通孔界定于所述管件的圆周中。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括旋转驱动部件,所述旋转驱动部件连接至所述基板支撑件以旋转所述基板支撑件。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,还包括外部管件,所述外部管件经组态以在其中容纳所述管件,
其中所述第一气体供应部件的喷射单元以及所述第二气体供应部件的所述多个喷射器安置于所述管件与所述外部管件之间。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一气体供应部件供应包括硅源气体的所述第一气体。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第二气体供应部件将包括掺杂气体以及蚀刻气体中的至少一者的所述第二气体选择性地供应至所述多个基板中的每一者上。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述基板支撑件包括多个隔离板,所述多个隔离板在所述多个基板的堆叠方向上分别安置于所述多个基板之间以使所述多个处理空间彼此隔离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技,未经株式会社EUGENE科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680021625.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造