[发明专利]蚀刻被蚀刻层的方法

权利要求书

1.一种方法，其为蚀刻被处理体的被蚀刻层的方法，该方法包括：

在等离子体处理装置的处理容器内，将所述被处理体载置于载置台上的工序，其中，所述处理容器提供包含第1空间以及第2空间的内部空间，所述载置台具有下部电极，并被设置在所述第1空间内，离子阱被设置在所述第1空间和所述第2空间之间，所述离子阱捕捉来自所述第2空间内产生的等离子体的离子；

对所述下部电极不施加高频偏压而使自由基吸附于所述被蚀刻层的工序，其中，所述自由基在所述第2空间内由包含稀有气体的处理气体生成，通过所述离子阱从所述第2空间被供给至所述第1空间；及

对所述下部电极施加高频偏压，并将离子引入所述被蚀刻层的工序，其中，该工序与吸附自由基的所述工序在所述处理气体被供给至所述第2空间的状态下连续地进行，所述处理气体中包含的所述稀有气体通过所述离子阱从所述第2空间被供给至所述第1空间，所述离子在所述第1空间内通过对所述下部电极施加所述高频偏压而由所述稀有气体生成；

吸附自由基的所述工序与引入离子的所述工序交替地重复，

在吸附自由基的所述工序中，配置有所述被处理体的所述处理容器内的空间中的自由基的密度为该空间中的离子的密度的200倍以上的密度，

在引入离子的所述工序中，功率密度为0.07W/cm²以下的所述高频偏压供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm²以下的所述高频偏压在0.5秒以下的期间供给至所述下部电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

在引入离子的所述工序中，功率密度为0.07W/cm²以下的所述高频偏压在2秒以下的期间供给至所述下部电极。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

在引入离子的所述工序的执行期间，设置于产生所述高频偏压的高频电源与所述下部电极之间的匹配器的阻抗固定。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

在引入离子的所述工序的执行期间，所述匹配器的可变电气元件的可变参数固定。