[发明专利]用于在室温下生产电工薄层的方法及电工薄层有效
申请号: | 201680022142.5 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN107896511B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 冈格达朗·普万德拉林伽;帕特里克·林德;丹尼尔·林德 | 申请(专利权)人: | 动态太阳能系统公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
地址: | 德国法*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 室温 生产 电工 薄层 方法 | ||
本方法第一次提出了一种用于生产电工薄层的方法,其使得可能通过使用附加试剂在室温下进行工艺控制,从而在非常短的时间内提供稳定的薄层。因此,甚至对于总工业工艺控制的情况下,能够替换平板PC以及更深远的应用中的锂离子电池的电容式蓄电池是可能的。
技术领域
本发明总体上可以被分配给电工薄层的领域。本申请人已经在该领域中工作,如通过申请DE 2012 107 100 A1和WO 2014 019 560 A1所示的。总体背景技术以及已知措施和方法合理反映于在这些应用中所研究的现有技术中。例如,DE 2 004 076 A1或另外DE31 06 654 A1披露了对于小设备,PV模块与热偶发电器、电容器或蓄电池的组合。丝网印刷的CdS/CdTe太阳能电池自1980年已知,例如从the Japanese Journal of AppliedPhysics, Volume 19, Number 4, ‘Screen printed thin film CdS/CdTe solar cell’[日本应用物理学杂志,第19卷,第4期,‘丝网印刷的薄膜CdS/CdTe太阳能电池’]。
与现有技术相比,本申请人的申请披露了以下方法,其中可以借助于新鲜压碎和/或解附聚的无机微粒无盐糊剂通过与一定比例的纳米级颗粒和挥发性有机溶剂热压缩获得出人意料地柔性的印刷混合PV层复合物。高度柔性的复合物允许不寻常的应用,但工业上尚未作为具有宽适用性的基础产品而建立。鉴于可以像涂漆用刷子施加的并且可以伴随挥发性有机溶剂(在下文中被称为“VOC”)的除气来干燥以实现PV层序列的有机PV油墨,对广泛可用的PV层和电工薄膜的工业需求如下:
需要电工层/层序列,该电工层/层序列
- 可以在室温下工业地生产
- 具有最小化水平的VOC
- 不包括任何芳族/有毒的有机材料。
在这些限制条件下,因此在工业部门中对于新颖方法存在需要。根据本发明,本申请人要求用于电工薄层的适当新颖的方法。
背景技术
本发明涉及生产电工薄层的方法以及电工薄层。
一般类型的薄层例如从DE 37 84 645 T2是已知的:提供了以有机溶液分散、施加并且通过干燥固化的预制陶瓷的聚合物。然而,这些层的缺点是然后固化层必须在200摄氏度至400摄氏度下烘烤约一天,以便获得具有半导电和/或导电特性的陶瓷层。然而,在此发现,这种类型的陶瓷层作为电介质层和掺杂的电介质层还是可用的。然而,对于附加的电极层或外层,此文献设想了不利地要求真空室并招致高装置成本的PVD或CVD方法。
WO 2011 021 982 A1披露了一种生产电极层的方法,其中使碳纳米管与溶液中的金属簇接触,并且然后沉积在膜过滤器上并干燥。然后可以将沉积的碳纳米管的凝聚团作为薄层去除。不利地,此文献然后设想与酸性聚合物电解质的组合,其然后给出具有部分液体电解质的层复合物。相应催化剂的充放电曲线示出了随着每个循环可存储的能量的量的明显减少,这表明了具有副反应的电化学存储过程。电化学存储过程的可逆性不再存在超过90%的程度,这意味着在几次充电循环后,可存储的能量的量已经显著下降。
因此,本发明的目的是克服现有技术的缺点,并提供一种方法以及根据该方法的电工薄层,尽管工业加工和大面积制造,这可以提供持久的、稳定的并且就它们的电工特性而言几乎100%可逆的薄层。
此目的是根据本发明的技术方案的特征实现的。有利的实施例文中将是明显的。
发明内容
本发明提供了一种通过在区域上提供以分散体的导电和/或半导电的无机附聚物并固化它们以形成层来生产电工薄层的室温方法,其特征在于
- 该固化在室温下进行,并且
- 通过与至少一种试剂接触来加速该固化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造