[发明专利]钽酸锂单晶基板及其接合基板、该接合基板的制造方法以及使用该基板的表面声波器件在审
| 申请号： | 201680022206.1 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107429425A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C04B37/00;C04B37/02;C30B31/02;C30B33/06;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 权鲜枝,侯剑英 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钽酸锂单晶基板 及其 接合 制造 方法 以及 使用 表面 声波 器件 | ||
1.一种钽酸锂单晶基板，是使Li从晶体方位为旋转36°Y～49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散，而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板，其特征在于，该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理，从上述基板表面到在该LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5～15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。
2.根据权利要求1所述的钽酸锂单晶基板，其特征在于，
上述Li浓度分布是越靠近上述旋转Y切割LiTaO3基板的基板表面则Li浓度越高、越靠近基板中心部则Li浓度越减小的浓度分布。
3.根据权利要求1或2所述的钽酸锂单晶基板，其特征在于，
上述基板表面的Li与Ta的比率为Li：Ta＝50-α：50+α，α为-0.5＜α＜0.5的范围。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的钽酸锂单晶基板，其特征在于，
在基板中以25ppm～150ppm的浓度掺杂有Fe。
5.一种接合基板，其特征在于，
是将权利要求1至4中的任意一项所述的钽酸锂单晶基板与基底基板接合而构成的。
6.根据权利要求5所述的接合基板，其特征在于，
除去接合面的相反侧的LiTaO3表层，从而保留Li浓度大致均匀的部分中的至少一部分。
7.根据权利要求5或6所述的接合基板，其特征在于，
上述基底基板为Si、SiC、尖晶石中的任意一种。
8.一种表面声波器件，其特征在于，
是使用权利要求1至4中的任意一项所述的钽酸锂单晶基板或者权利要求5至7中的任意一项所述的接合基板构成的。
9.一种接合基板的制造方法，其特征在于，
将LiTaO3单晶基板与基底基板接合，除去接合面的相反侧的LiTaO3表层，从而保留Li浓度大致均匀的部分中的至少一部分，上述LiTaO3单晶基板具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布，从至少一方基板表面到任意的深度为止Li浓度大致均匀。
10.一种接合基板的制造方法，其特征在于，
将LiTaO3单晶基板与基底基板接合，除去接合面的相反侧的LiTaO3表层，从而仅保留Li浓度大致均匀的部分，上述LiTaO3单晶基板具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布，从至少一方基板表面到任意的深度为止Li浓度大致均匀。
11.根据权利要求9或10所述的接合基板的制造方法，其特征在于，
上述Li浓度大致均匀的部分为伪化学计量组成。
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