[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

说明书

本发明提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。将在第一基板处理装置1涂覆抗蚀剂之后被加热处理过的晶片W在第二基板处理装置2中在曝光前也进行加热处理。因此，即使从第一基板处理装置1搬送到第二基板处理装置2时，在晶片W附着了气氛中的胺，胺也通过加热处理而飞散。另外，基于包括FOUP10从第一基板处理装置1被搬出之后、至该FOUP10被搬入到第二基板处理装置中的时间在内的晶片W的放置时间，调整加热时间和加热温度中的至少一个。由此，抑制在晶片W之间抗蚀剂中的溶剂的剩余量的不均匀。因此能够实现抗蚀剂图案的形成处理的稳定化。

技术领域

本发明涉及使形成在基板的表面的抗蚀剂图案的线宽均匀的技术。

背景技术

作为半导体制造工序之一的光致抗蚀剂工序中，进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)的表面涂覆抗蚀剂等各种涂覆液的涂覆处理、涂覆膜的曝光处理和曝光后的涂覆膜的显影处理，在晶片的表面形成抗蚀剂图案。

在进行这样的涂覆、显影处理的基板处理系统中，涂覆抗蚀剂液等涂覆液的涂覆组件中使用的处理液容易固着的物质较多，当附着了处理液时，污渍难以去除，相比于曝光装置、显影组件，在维护时耗费时间，吞吐量受到制约。因此，公知的有如下的结构：将具有涂覆组件的前级侧的装置与包括连接于曝光装置的显影组件的后级侧的装置相分离，形成独立的装置结构，即使在进行涂覆组件的维护时，也能够进行曝光、显影处理(专利文献1)。

在这样的基板处理系统中，为了消除曝光装置待机的时间(为了使其充分运转)，要求不中断地将涂覆了抗蚀剂的基板搬入到后级侧的装置中。另外，由于将包括涂覆单元的前级侧的装置与包括显影单元的后级侧的装置形成为独立的装置，因而必须在工厂内由载置器在两装置之间进行搬送，为此，需要在考虑了枝生出的问题的基础上，实现稳定的抗蚀剂图案的形成处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-335626号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明是鉴于这样的情况而完成的发明，在于提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。

用于解决课题的技术手段

本发明是一种基板处理方法，其特征在于，包括：

在第一基板处理装置在基板上涂覆抗蚀剂的工序；

接着，在第一基板处理装置对基板进行加热处理的工序；

之后，将上述基板收纳在载置器中，并从第一基板处理装置的载置区块搬送到第二基板处理装置的载置区块的工序；

基于包括载置器从上述第一基板处理装置的载置区块被搬出后、至该载置器被搬入到第二基板处理装置的载置区块中的时间在内的基板放置时间，在调整了加热时间和加热温度中的至少一个的状态下，在上述第二基板处理装置对基板进行加热处理的工序；和

接着，将上述基板曝光，再通过上述第二基板处理装置进行了加热处理之后，进行显影的工序。

本发明的基板处理系统，其特征在于，包括：

第一基板处理装置，其包括：搬入搬出载置器的载置区块，上述载置器用于收纳基板并搬送基板；对从搬入到该载置区块的载置器取出的基板涂覆抗蚀剂膜的抗蚀剂涂覆单元；和对涂覆了抗蚀剂的基板进行加热处理的第一加热单元，