[发明专利]曝光系统在审
申请号: | 201680022373.6 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN107533956A | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 柴崎祐一 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/677 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 肖靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 系统 | ||
1.一种曝光系统,利用带电粒子束将目标物曝光,具备:
第1腔室,与向目标物涂敷感应剂的基板处理装置相邻地配置;
第2腔室,相对上述第1腔室,在与该第1腔室和上述基板处理装置相邻的第1方向交叉的第2方向隔开地配置;以及
第1控制架,与上述第2腔室以及上述基板处理装置的各个相邻或靠近地配置,且连接于外部的公用能源供应源,
上述第1控制架将从上述公用能源供应源供应的上述公用能源分配至上述第1腔室及上述第2腔室的各个。
2.如权利要求1所述的曝光系统,进一步具备第2控制架,该第2控制架配置在上述第1及第2腔室的上方,将从上述第1控制架供应的上述公用能源供应至上述第1及第2腔室。
3.如权利要求1或2所述的曝光系统,其中上述第2腔室以及上述第1控制架在上述第1方向相邻地配置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的曝光系统,其中上述基板处理装置与上述第1腔室以联机方式连接,且
上述基板处理装置内的空间、上述第1控制架的空间、上述第2腔室的空间彼此独立。
5.如权利要求4所述的曝光系统,其中上述基板处理装置、上述第1控制架、上述第2腔室彼此隔开。
6.如权利要求1至5中任一项所述的曝光系统,具备第3腔室,该第3腔室在上述第1方向,在与上述基板处理装置相邻的上述第1腔室的一侧相反的另一侧相邻地配置。
7.如权利要求1至6中任一项所述的曝光系统,具备第4腔室,该第4腔室在上述第1方向,在与上述第1控制架相邻的上述第2腔室的一侧相反的另一侧相邻地配置。
8.如权利要求7所述的曝光系统,具备搬送腔室,该搬送腔室配置于上述第1腔室与上述第2腔室之间、及上述第3腔室与上述第4腔室之间,且连接于上述第1、第2、第3及第4腔室的各个。
9.如权利要求8所述的曝光系统,其中,在上述搬送腔室内形成有用以在上述第1腔室与上述第2、第3及第4腔室之间搬送上述目标物的搬送空间。
10.如权利要求9所述的曝光系统,其中上述搬送空间以及上述第1腔室内的空间与上述第2、第3及第4腔室内空间为互不相同的环境。
11.如权利要求10所述的曝光系统,其中上述第2、第3及第4腔室内的空间为真空环境。
12.如权利要求11所述的曝光系统,其中上述搬送腔室的内部以及上述第1腔室的内部能够设定为真空度比上述第2、第3及第4腔室的内部低的低真空状态。
13.如权利要求9至12中任一项所述的曝光系统,具有设置于上述第1、第2、第3及第4腔室的各个与上述搬送腔室之间的加载互锁室。
14.如权利要求13所述的曝光系统,其中在上述第1腔室内形成有对上述目标物进行测量的测量室,且
在上述第2、第3及第4腔室内形成有利用带电粒子束对涂敷有上述感应剂的上述目标物进行曝光的曝光室。
15.如权利要求14所述的曝光系统,其中在上述第2、第3及第4腔室的各个,各容纳有至少1个利用上述带电粒子束对涂敷有上述感应剂的上述目标物进行曝光的曝光单元的至少一部分。
16.如权利要求15所述的曝光系统,其中在上述第2、第3及第4腔室的各个,各容纳有2个上述曝光单元的至少一部分。
17.如权利要求15或16所述的曝光系统,其中上述曝光单元具有:平台装置,包含能够保持并移动上述目标物的平台;以及带电粒子束照射装置,对上述目标物照射带电粒子束以进行曝光;且
在上述腔室的内部容纳有上述平台及上述带电粒子束照射装置的至少射出端部。
18.如权利要求17所述的曝光系统,其中在上述腔室的内部容纳有上述曝光单元整体。
19.如权利要求17或18所述的曝光系统,其中上述平台装置包含对上述平台的位置信息进行测量的编码器系统,该编码器系统具有:光栅部,设置于上述平台及该平台的外部中的一方,且形成有二维光栅;以及头部,以能够与上述光栅部对向的方式设置于上述平台及该平台的外部中的另一方,对上述光栅部照射多个射束,并接收来自光栅部的回光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造