[发明专利]薄膜晶体管阵列形成基板及其制造、图像显示装置用基板有效

专利信息
申请号: 201680022716.9 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN107534056B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 中条妃奈;石崎守 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 形成 及其 制造 图像 显示装置 用基板
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管阵列形成基板,其为在基板上按顺序层叠栅电极、栅极绝缘体层、源电极、漏电极及与漏电极相连接的像素电极、半导体层、以及保护层而成的薄膜晶体管阵列形成基板,其中,

兼为所述源电极的源极配线在其延伸方向上周期性地具备切口部,

所述源极配线的切口部形成在重叠于所述栅电极的位置上,具有所述切口部的部位成为细源极配线,没有所述切口部的部位成为宽度大于所述细源极配线的粗源极配线,

至少所述粗源极配线具备开口部,

所述半导体层是所述源极配线延伸的方向为长度方向的条纹,且跨越所述源电极和所述漏电极而形成,

所述保护层将所述半导体层全部覆盖,

所述半导体层未覆盖所述源极配线的开口部的宽度方向的两端部。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列形成基板,其中,所述细源极配线进一步具备开口部。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列形成基板,其中,所述细源极配线的开口部与所述粗源极配线的开口部在所述源极配线延伸的方向上相连通。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列形成基板,其中,所述细源极配线的开口部与所述粗源极配线的开口部形成了在所述源极配线延伸的方向上部分连通而成的开口部。

5.一种图像显示装置用基板,其在权利要求1~4中任一项所述的薄膜晶体管阵列形成基板上具备层间绝缘体层,在所述层间绝缘体层的对应于所述像素电极的部位上具有开口部。

6.根据权利要求5所述的图像显示装置用基板,其中,在所述层间绝缘体层上进一步具备上部像素电极,所述上部像素电极介由所述层间绝缘体层的开口部、与所述薄膜晶体管阵列形成基板的像素电极相连接。

7.一种薄膜晶体管阵列形成基板的制造方法,其为权利要求1~4中任一项所述的薄膜晶体管阵列形成基板的制造方法,其按顺序实施以下工序:

在基板上形成栅电极的工序;

在含有所述栅电极的所述基板上形成栅极绝缘体层的工序;

一并形成源极配线兼源电极、漏电极和像素电极的工序;

利用使用了液体油墨的印刷法形成半导体层的工序;以及

利用使用了液体油墨的印刷法形成保护层的工序,

其中,在形成所述半导体层的工序中,按照不覆盖所述源极配线的开口部的宽度方向的两端部的方式形成所述半导体层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列形成基板的制造方法,其中,在所述一并形成源极配线兼源电极、漏电极和像素电极的工序中,利用胶版印刷形成所述源极配线兼源电极、漏电极和像素电极。

9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管阵列形成基板的制造方法,其中,在形成所述保护层的工序中,按照将所述半导体层及所述源极配线的开口部全部覆盖的方式形成所述保护层。

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