[发明专利]MOSFET栅极驱动器中的DV/DT控制在审
| 申请号： | 201680022856.6 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107820679A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·胡斯泰特 | 申请（专利权）人： | KSRIP控股有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K5/07 | 分类号： | H03K5/07;H03K17/16 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 栅极 驱动器 中的 dv dt 控制 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子开关电路，包括：
具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管，
串联连接在所述场效应晶体管的所述栅极与所述源极之间的电容和电阻，
其中，所述电路接收所述漏极与结之间的信号，所述结在所述电容与所述电阻之间。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述晶体管包括场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电容的值被选择为使得所述场效应晶体管的开关速度降低。
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