[发明专利]气体扩散电极基材及其制造方法有效
| 申请号： | 201680022919.8 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107534156B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 桥本胜;若田部道生;加藤颂 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/96 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 扩散 电极 基材 及其 制造 方法 | ||
1.一种气体扩散电极基材，是在电极基材的一个表面配置有微多孔层即MPL的气体扩散电极基材，
厚度为110μm以上240μm以下，
在将气体扩散电极基材的截面分为具有MPL的部分和不具有MPL的部分，而且将不具有MPL的部分二等分为与MPL接触的部分即CP1截面和不与MPL接触的部分即CP2截面时，CP1截面的F/C比为0.03以上0.10以下，CP2截面的F/C比小于0.03，
其中，F表示氟原子的质量，C表示碳原子的质量。
2.根据权利要求1所述的气体扩散电极基材，所述CP2截面的F/C比为0.01以下。
3.根据权利要求1所述的气体扩散电极基材，所述气体扩散电极基材的、与配置MPL的那侧相反的一侧的表面的F/C比为0.01以下。
4.根据权利要求1或2所述的气体扩散电极基材，所述气体扩散电极基材的、配置MPL的那侧的表面的F/C比为0.10以上0.40以下。
5.根据权利要求1～3的任一项所述的气体扩散电极基材，厚度方向的气体扩散性为30％以上。
6.一种气体扩散电极基材的制造方法，是制造权利要求1～5的任一项所述的气体扩散电极基材的方法，其特征在于，
包括从导电性多孔质基材的一个表面以雾状喷涂含有氟树脂的分散液的工序，
并且，继该工序之后，在该表面配置MPL。
7.一种气体扩散电极基材的制造方法，是制造权利要求1～5的任一项所述的气体扩散电极基材的方法，其特征在于，
包括从导电性多孔质基材的一个表面涂敷含有氟树脂的分散液的工序，
并且，继该工序之后，在该表面配置MPL。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社，未经东丽株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680022919.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
