[发明专利]图像传感器、层叠型摄像装置和摄像模块有效
申请号: | 201680023181.7 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN107534050B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 氏家康晴;村田昌树;熊谷裕也;茂木英昭;平田晋太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;C07D495/04;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 层叠 摄像 装置 模块 | ||
1.一种图像传感器,其至少包括:
第一电极;
第二电极;
有机光电转换层;以及
载流子阻挡层,
其中,所述载流子阻挡层由具有以下结构式(1)的材料形成,并且厚度为5×10-9m~1.5×10-7m,
其中,R1和R2是独立地选自氢基、芳基和烷基的基团,
所述芳基是选自由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、萘基苯基、甲苯基、二甲苯基、用具有2至6个碳原子数的烷基作为取代基的苯基、蒽基、蒽基苯基、菲基、菲基苯基、芘基、芘基苯基、并四苯基、并四苯基苯基、荧蒽基、荧蒽基苯基、吡啶基、吡啶基苯基、喹啉基、喹啉基苯基、吖啶基、吖啶基苯基、吲哚基、吲哚基苯基、咪唑基、咪唑基苯基、苯并咪唑基、苯并咪唑基苯基、噻吩基和噻吩基苯基组成的群的基团,并且
所述烷基是选自由甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基组成的群的基团,且所述烷基是直链烷基或支链烷基,
其中,所述第一电极由透明导电材料形成,所述第二电极由Al-Si-Cu或Mg-Ag形成,或者
所述第二电极由透明导电材料形成,所述第一电极由Al-Nd或ASC形成。
2.一种图像传感器,其至少包括:
第一电极;
第二电极;
有机光电转换层;以及
载流子阻挡层,
其中,所述载流子阻挡层由具有以下结构式(2)的材料形成,并且厚度为5×10-9m~1.5×10-7m,
其中,Ar1和Ar2是独立地具有取代基或没有取代基的芳基,其选自由苯基、联苯基、三联苯基、萘基、萘基苯基、甲苯基、二甲苯基、用具有2至6个碳原子数的烷基作为取代基的苯基、蒽基、蒽基苯基、菲基、菲基苯基、芘基、芘基苯基、并四苯基、并四苯基苯基、荧蒽基、荧蒽基苯基、吡啶基、吡啶基苯基、喹啉基、喹啉基苯基、吖啶基、吖啶基苯基、吲哚基、吲哚基苯基、咪唑基、咪唑基苯基、苯并咪唑基、苯并咪唑基苯基、噻吩基和噻吩基苯基组成的群,
其中,所述第一电极由透明导电材料形成,所述第二电极由Al-Si-Cu或Mg-Ag形成,或者
所述第二电极由透明导电材料形成,所述第一电极由Al-Nd或ASC形成。
3.一种图像传感器,其至少包括:
第一电极;
第二电极;
有机光电转换层;以及
载流子阻挡层,
其中,所述载流子阻挡层由具有以下结构式(3)的材料形成,并且厚度为5×10-9m~1.5×10-7m,
其中,所述第一电极由透明导电材料形成,所述第二电极由Al-Si-Cu或Mg-Ag形成,或者
所述第二电极由透明导电材料形成,所述第一电极由Al-Nd或ASC形成。
4.根据权利要求1~3任一项所述的图像传感器,其中,
所述第一电极用作阳极,所述第二电极用作阴极,并且
所述载流子阻挡层被布置在所述第一电极和所述有机光电转换层之间。
5.根据权利要求1~3任一项所述的图像传感器,其中,
所述载流子阻挡层在450nm波长下的光吸收率为3%以下,在425nm波长下的光吸收率为30%以下,在400nm波长下的光吸收率为80%以下。
6.根据权利要求1~3任一项所述的图像传感器,其中,
所述载流子阻挡层由载流子迁移率为9×10-4cm2/V·s以上的材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的