[发明专利]非晶薄膜形成方法有效
| 申请号： | 201680023468.X | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107533975B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 申承祐;柳次英;郑愚德;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;权赫龙;金基镐 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人： | 许玉顺 |
| 地址： | 韩国京畿道龙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种非晶薄膜的形成方法，其特征在于，包括：
在基底上流过氨基硅烷系气体，从而在上述基底表面形成种子层的工序；及
在上述种子层上形成既定厚度的非晶薄膜的工序；
其中，上述的形成上述非晶薄膜的工序包括：
在上述种子层上形成第一非晶硅薄膜的工序，该第一非晶硅薄膜掺杂硼并具有第一厚度；
在上述第一非晶硅薄膜上形成第二非晶锗薄膜的工序，该第二非晶锗薄膜掺杂硼并具有第二厚度；
使用于形成上述第一非晶硅薄膜的工序的第一源气体包括含硼气体及硅烷系气体且供给到上述种子层；
使用于形成上述第二非晶锗薄膜的工序的第二源气体包括含硼气体和含锗气体，且上述第二源气体与上述第一源气体不同，而且上述第二源气体被供给到上述第一非晶硅薄膜，
其中，上述第一厚度是上述第二厚度是以上。
2.如权利要求1所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述含硼气体为B2H6。
3.如权利要求1或2所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第一源气体中包括SiH4、B2H6、N2。
4.如权利要求3所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第二源气体中包括GeH4、B2H6、N2、H2。
5.如权利要求1或2所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述第一源气体中包括150sccm的SiH4、50sccm的B2H6以及15000sccm的N2，
上述第二源气体中包括500sccm的GeH4、100sccm的B2H6、5000sccm的N2以及3000sccm的H2。
6.如权利要求5所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述形成上述第一非晶硅薄膜和形成上述第二非锗薄膜是在300℃执行。
7.如权利要求1或2所述的非晶薄膜的形成方法，其特征在于，
上述既定厚度为以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
