[发明专利]清洁高深宽比通孔

权利要求书

1.一种蚀刻经图案化基板的方法，所述方法包含以下步骤：

将所述经图案化基板放置在基板处理区域中；

在所述经图案化基板上形成并且图案化光阻剂层；

将高深宽比通孔反应性离子蚀刻至所述经图案化基板中，其中反应性离子蚀刻在所述高深宽比通孔的底部处形成非晶硅层；

自所述经图案化基板灰化所述光阻剂层，其中灰化在所述非晶硅层上方形成氧化硅层；

通过与远程等离子体功率结合施加局部等离子体功率而自所述高深宽比通孔的所述底部选择性蚀刻所述氧化硅层，其中所述局部等离子体功率被施加至所述基板处理区域中，并且所述远程等离子体功率被施加到远程等离子体区域中；以及

自所述高深宽比通孔的所述底部选择性蚀刻所述非晶硅层以暴露单晶硅。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述非晶硅层与所述氧化硅层之间形成薄碳层。

3.如权利要求1所述的方法，其中在相同基板处理区域中发生选择性蚀刻所述氧化硅层及选择性蚀刻所述非晶硅层的操作。

4.一种蚀刻经图案化基板的方法，所述方法包含以下步骤：

在基板处理区域中放置所述经图案化基板，其中所述经图案化基板具有高深宽比通孔，所述高深宽比通孔具有大于25:1的高度相对于宽度的深宽比；

使含氟前驱物流入远程等离子体区域中，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物；

使所述等离子体流出物流动穿过第一喷淋头并流入所述第一喷淋头与第二喷淋头之间的喷淋头间区域；

在所述喷淋头间区域中使所述等离子体流出物与含氮与氢的前驱物组合以形成前驱物组合，其中所述含氮与氢的前驱物并未通过任何等离子体；

使所述前驱物组合穿过所述第二喷淋头流入所述基板处理区域中；

在所述基板处理区域中形成局部等离子体；以及

自所述高深宽比通孔的底部移除氧化硅的已暴露的部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述高深宽比通孔的宽度小于120nm。

6.如权利要求4所述的方法，其中在组合所述等离子体流出物的操作期间，所述喷淋头间区域为无等离子体的。

7.如权利要求4所述的方法，其中在组合所述等离子体流出物的操作期间，所述喷淋头间区域内的电子温度低于0.5eV，且在组合所述等离子体流出物的操作期间，所述远程等离子体区域中的电子温度及所述基板处理区域中的电子温度各自高于0.5eV。

8.如权利要求4所述的方法，其中移除氧化硅的所述已暴露的部分的步骤还自所述高深宽比通孔的侧壁以均匀速率移除氧化硅，以使得侧壁底部附近的底部移除速率处于侧壁顶部附近的顶部移除速率的10％以内。

9.如权利要求4所述的方法，其中所述远程等离子体为电容耦合的且所述局部等离子体为电容耦合的。

10.如权利要求4所述的方法，进一步包含自所述高深宽比通孔的所述底部移除非晶硅部分的操作；其中在移除氧化硅的所述已暴露的部分之后发生移除所述非晶硅部分的操作，且移除所述非晶硅部分的操作暴露单晶硅。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包含在所述单晶硅上外延生长单晶硅的操作。

12.如权利要求10所述的方法，其中移除所述非晶硅部分的操作进一步包含以下步骤：使第二含氟前驱物流入所述基板处理区域中，同时形成具有氟局部等离子体功率的氟局部等离子体。