[发明专利]半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备

权利要求书

1.一种摄像装置，包括：

传感器基板，所述传感器基板包括光电二极管、晶体管和第一布线层；以及

电路基板，所述电路基板包括信号处理电路和第二布线层，

其中，所述传感器基板层叠在所述电路基板上，

其中，所述第一布线层包括第一连接焊盘和第一绝缘膜，所述第二布线层包括第二连接焊盘和第二绝缘膜，

其中，在所述第一绝缘膜的第一部分和所述第二绝缘膜的第一部分之间布置有金属氧化膜，

其中，所述第一连接焊盘的第一部分接触所述第二连接焊盘的第一部分，

其中，所述第一绝缘膜的所述第一部分接触所述金属氧化膜的第一表面上的第一区域，

其中，所述第二绝缘膜的所述第一部分接触所述金属氧化膜的第二表面上的第二区域，所述第二表面与所述第一表面相对，且

其中，所述金属氧化膜的所述第一区域与所述金属氧化膜的所述第二区域重叠。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中

在所述第一绝缘膜和所述第一连接焊盘的接合面以及所述第二绝缘膜和所述第二连接焊盘的接合面中的至少一个接合面上形成有金属膜，和

通过在其中以所述金属膜介于所述传感器基板和所述电路基板之间的方式使所述传感器基板和所述电路基板彼此紧密接触的状态下进行热处理，自发形成由所述金属膜与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的反应产生的所述金属氧化膜。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中

所述金属膜由具有以下性质的金属构成：在所述热处理中，介于在所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘之间的部分所述金属膜熔融进入所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘中。

4.根据权利要求2或3所述的摄像装置，其中

所述金属膜由具有在所述热处理中与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜反应以形成具有绝缘性的氧化物的性质的金属构成。

5.根据权利要求2或3所述的摄像装置，其中

所述金属膜包含锰、钒、铝、镁和锆中的至少一种或多种的元素。

6.根据权利要求2或3所述的摄像装置，其中

所述金属膜形成为具有0.1 nm~10 nm的厚度。

7.根据权利要求2或3所述的摄像装置，其中

在所述金属膜已经形成在所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘的整个表面上的状态下，通过使用含氢的液体或气体对所述金属膜进行预处理。

8.根据权利要求2或3所述的摄像装置，其中

当接合所述传感器基板和所述电路基板时，在所述金属膜已经形成在所述接合面中的至少一个的整个表面上的状态下进行接合。

9.根据权利要求1所述的摄像装置，其中

所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述电路基板构造成对所述传感器基板进行信号处理。