[发明专利]源极线布局与磁隧道结(MTJ)存储器位单元中的存取晶体管接触布置的解耦以促进减小的接触电阻有效

专利信息
申请号: 201680024281.1 申请日: 2016-03-28
公开(公告)号: CN107533859B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 朱小春;鲁宇;朴禅度;康相赫 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;H01L27/22
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 源极线 布局 隧道 mtj 存储器 单元 中的 存取 晶体管 接触 布置 促进 减小 电阻
【权利要求书】:

1.一种在集成电路中的磁隧道结存储器位单元,包括:

有源半导体层,所述有源半导体层包括存取晶体管,所述存取晶体管包括源极节点、漏极节点和栅极节点;

漏极接触件,所述漏极接触件被设置在所述漏极节点上方并与所述漏极节点接触;

源极接触件,所述源极接触件被设置在所述源极节点上方并与所述源极节点接触;

漏极列,所述漏极列包括被设置在所述漏极接触件上方并与所述漏极接触件接触的漏极板;

磁隧道结,所述磁隧道结被设置在所述有源半导体层上方,与所述漏极列电接触;

源极板,所述源极板包括被设置在第一金属层中的金属线,在所述源极接触件上方并与所述源极接触件接触;和

源极线,所述源极线被设置在所述第一金属层上方的第二金属层中,所述源极线与所述源极板电接触以将所述源极线电连接到所述源极节点。

2.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述源极线不与所述源极接触件物理接触。

3.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,还包括接触层,所述接触层包括所述源极接触件、所述漏极接触件、所述源极板和所述漏极板,其中所述源极线未被设置在所述接触层中。

4.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述源极板和所述漏极板沿着所述有源半导体层的宽度轴而对准。

5.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述源极板包括源极金属板。

6.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述第一金属层由金属1层构成。

7.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述源极接触件由长形源极接触件构成。

8.根据权利要求7所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述长形源极接触件是矩形形状。

9.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述漏极接触件由长形漏极接触件构成。

10.根据权利要求9所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述长形漏极接触件是矩形形状。

11.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,包括一晶体管-一磁隧道结存储器位单元。

12.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述有源半导体层还包括第二存取晶体管,所述第二存取晶体管包括第二源极节点、所述漏极节点和第二栅极节点;和

还包括:

第二源极接触件,所述第二源极接触件被设置在所述第二源极节点上方并与所述第二源极节点接触;以及

第二源极板,所述第二源极板包括被设置在所述第一金属层中的第二金属线,在所述第二源极接触件上方并与所述第二源极接触件接触;

所述源极线与所述源极板和所述第二源极板电接触,以将所述源极线电连接到所述源极节点和所述第二源极节点。

13.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其被设置在磁随机存取存储器阵列中,所述磁随机存取存储器阵列被设置在基于处理器的系统中。

14.根据权利要求13所述的磁隧道结存储器位单元,其中,所述基于处理器的系统被设置在基于中央处理单元的片上系统中。

15.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其被集成到集成电路中。

16.根据权利要求1所述的磁隧道结存储器位单元,其被集成到从由以下构成的组中选择的设备中:机顶盒;娱乐装置;导航设备;通信设备;固定位置数据单元;移动位置数据单元;计算机;监视器;电视;调谐器;收音机;卫星广播;音乐播放器;视频播放器;和汽车。

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