[发明专利]掩模一体型表面保护膜

权利要求书

1.一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其用于半导体芯片的制造，其特征在于，所述基材膜为聚苯乙烯树脂，所述掩模材料层由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂构成，所述基材膜和所述掩模材料层能够通过共挤出而形成，所述掩模材料层的厚度为50μm以下。

2.如权利要求1所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述掩模材料层的厚度为10μm以下。

3.如权利要求1所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述基材膜为多层，该基材膜中位于距离所述掩模材料层最远的层为高弹性模量层，与所述掩模材料层最近的层为低弹性模量层，所述掩模材料层的厚度为10μm以下。

4.如权利要求3所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述低弹性模量层为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂。

5.如权利要求4所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，掩模材料层中所使用的所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂的乙烯含量为50重量％～80重量％。

6.如权利要求1～5中任一项所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述掩模一体型表面保护膜为等离子体切割用。

7.一种掩模一体型表面保护膜，其为在包括下述工序(a)～(d)的半导体芯片的制造中使用的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，该掩模一体型表面保护膜具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层，

所述基材膜为聚苯乙烯树脂，

所述掩模材料层为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂构成，所述基材膜和所述掩模材料层能够通过共挤出而形成，该掩模材料层的厚度为50μm以下，

(a)在将掩模一体型表面保护膜贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框进行支持固定的工序；

(b)从所述掩模一体型表面保护膜将所述基材膜剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序，或者，利用激光将所述掩模一体型表面保护膜中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口，之后从该掩模一体型表面保护膜将所述基材膜剥离而使掩模材料层露出于表面的工序；

(c)通过SF₆等离子体以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和

(d)通过O₂等离子体去除所述掩模材料层的灰化工序。

8.如权利要求7所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述工序(a)的掩模一体型表面保护膜在半导体晶片的图案面侧的贴合为50℃～100℃下的加热贴合。

9.如权利要求7所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述基材膜为单层的固化丙烯酸类树脂膜，所述掩模材料层的厚度为10μm以下。

10.如权利要求7所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述基材膜为多层，该基材膜中位于距离所述掩模材料层最远的层为高弹性模量层，与所述掩模材料层最近的层为低弹性模量层，所述掩模材料层的厚度为10μm以下。

11.如权利要求10所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述低弹性模量层为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂。

12.如权利要求11所述的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，掩模材料层中所使用的所述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯-丙烯酸丁酯共聚物树脂的乙烯含量为50重量％～80重量％。