[发明专利]使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区为具有第一浓度的第一导电类型；

通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠；以及

通过离子注入形成第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区具有浓度高于所述第一浓度的第二导电类型，并且所述第二多个掺杂区与所述轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠；

其中所述轻掺杂区、所述第一多个掺杂区和所述第二多个掺杂区形成于所述半导体基板的背表面中，所述背表面与所述半导体基板的光接收表面相对，所述方法还包括：

在所述半导体基板的所述光接收表面上形成掺杂的非晶硅层；以及

在对所述半导体基板进行热退火，使所述掺杂的非晶硅层晶化，以在所述半导体基板的所述光接收表面上形成掺杂的多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述轻掺杂区和形成所述第一多个掺杂区包括在离子注入机中单程通过静止掩模注入掺杂物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述单程通过静止掩模注入掺杂物包括使用具有用于形成所述第一多个掺杂区的狭缝图案以及用于形成所述轻掺杂区的完整开口的掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，在所述半导体基板的所述光接收表面上形成掺杂的非晶硅层之前，所述方法还包括：

在所述半导体基板的所述光接收表面上形成薄隧穿介电层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述半导体基板进行热退火包括在包含氮气(N2)的气氛下对半导体进行热退火。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述轻掺杂区包括在所述半导体基板中形成毯覆式轻掺杂区。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述轻掺杂区还包括在所述半导体基板中形成图案化轻掺杂区。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成电连接到所述第一多个掺杂区的第一多个触点；以及

形成电连接到所述第二多个掺杂区的第二多个触点。

9.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。

10.一种太阳能电池，包括：

半导体基板，所述半导体基板具有光接收表面以及与所述光接收表面相对的背表面；

设置在所述半导体基板中并且处于所述半导体基板的所述背表面上的毯覆式掺杂区，所述毯覆式掺杂区为第一浓度的第一导电类型；

设置在所述半导体基板中并且与所述毯覆式掺杂区重叠的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区为第二更高浓度的所述第一导电类型；

设置在所述半导体基板中并且与所述毯覆式掺杂区重叠但与所述第一多个掺杂区相间且不重叠的第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区为浓度高于所述第一浓度的第二导电类型；

在所述太阳能电池的所述背表面电连接到所述第一多个掺杂区的第一多个触点；

在所述太阳能电池的所述背表面电连接到所述第二多个掺杂区的第二多个触点；以及

掺杂的多晶硅层，其位于所述光接收表面上。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述第一导电类型为P型，并且所述第二导电类型为N型。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中所述半导体基板为单晶半导体基板，其中所述第一多个掺杂区包含硼掺杂物，并且其中所述第二多个掺杂区包含磷掺杂物。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述第一导电类型为N型，并且所述第二导电类型为P型。